[发明专利]基础电路板制作工艺及基础电路板在审

专利信息
申请号: 201911145198.1 申请日: 2019-11-21
公开(公告)号: CN110752161A 公开(公告)日: 2020-02-04
发明(设计)人: 邹时月 申请(专利权)人: 邹时月
主分类号: H01L21/48 分类号: H01L21/48;H01L23/31;H01L23/498
代理公司: 44632 深圳倚智知识产权代理事务所(普通合伙) 代理人: 霍如肖
地址: 518000 广东省深圳*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 铜垫 封装基板 卡槽 散热 卡接 铜柱 陶瓷基板 芯片焊盘 卡接孔 填充 装配 电路板制作工艺 电路板 硅芯片 导热 电镀铜工艺 一体化连接 散热效率 导通孔 导通 镀铜 接孔 焊接 芯片 中介 制作
【权利要求书】:

1.一种基础电路板制作工艺,其特征在于,包括:

A.在封装基板(3)的芯片焊盘(34)处设置上下导通的导通孔(33),通过镀铜及填孔工艺,将所述导通孔(33)填充为实心的导电孔,所述导通孔(33)为呈阵列分布的9个以上的孔,所述芯片焊盘(34)的上部焊接硅芯片(1),所述封装基板(3)的芯片焊盘(34)部位的底部设置有导热铜垫(31);

B.在陶瓷基板(2)上通过蚀刻工艺制作铜垫卡槽(21)和卡接铜柱(22),所述封装基板(3)的厚度方向上设置有3个以上的卡接孔(32),所述陶瓷基板(2)上设置有3个以上的卡接铜柱(22),所述卡接铜柱(22)的直径为所述卡接孔(32)的孔径的95%~99%,所述卡接铜柱(22)与所述卡接孔(32)装配,所述散热铜垫(31)位于所述铜垫卡槽(21)内,所述散热铜垫(31)的周侧及底部与所述铜垫卡槽(21)之间设置有3~20μm的间隙;

C.通过镀铜工艺,填充所述散热铜垫(31)的周侧及底部与所述铜垫卡槽(21)之间的间隙,同时填充卡接铜柱(22)与所述卡接孔(32)之间的间隙。

2.如权利要求1所述基于基础电路板制作工艺,其特征在于,所述镀铜工艺包括化学沉铜和电镀铜。

3.如权利要求2所述基于基础电路板制作工艺,其特征在于,所述化学沉铜的铜层的厚度为1~3μm;

所述电镀铜时,为双回路电镀工艺,所述陶瓷基板(2)和封装基板(3)上同时设置有电镀夹子夹持点;

在散热铜垫(31)与所述铜垫卡槽(21)之间的间隙为3~20μm时,采用双回路电镀工艺进行电镀,同时通过所述陶瓷基板(2)和封装基板(3)上的电镀夹子夹持点进行电镀;在散热铜垫(31)与所述铜垫卡槽(21)之间的间隙小于3μm时,采用单回路电镀工艺,仅通过所述陶瓷基板(2)或封装基板(3)上的电镀夹子夹持点进行电镀。

4.一种基础电路板,包括硅芯片(1),其特征在于,还包括陶瓷基板(2)和封装基板(3);

所述硅芯片(1)为具有双面焊盘的芯片,在封装基板(3)的芯片焊盘(34)处设置上下导通的导通孔(33),通过镀铜及填孔工艺,将所述导通孔(33)填充为实心的导电孔,所述导通孔(33)为呈阵列分布的9个以上的孔,所述芯片焊盘(34)的上部焊接硅芯片(1),所述封装基板(3)的芯片焊盘(34)部位的底部设置有导热铜垫(31);

所述封装基板(3)设置有散热铜垫(31),所述散热铜垫(31)位于所述硅芯片(1)的一侧或底部,所述陶瓷基板(2)设置有铜垫卡槽(21);

所述封装基板(3)的厚度方向上设置有3个以上的卡接孔(32),所述陶瓷基板(2)上设置有3个以上的卡接铜柱(22),所述卡接铜柱(22)的直径为所述卡接孔(32)的孔径的95%~99%,所述卡接铜柱(22)与所述卡接孔(32)装配后,所述散热铜垫(31)位于所述铜垫卡槽(21)内,所述散热铜垫(31)的周侧及底部与所述铜垫卡槽(21)之间设置有3~20μm的间隙;

通过镀铜工艺,填充所述卡接铜柱(22)与所述卡接孔(32)之间的间隙,同时,填充所述散热铜垫(31)与所述铜垫卡槽(21)之间的间隙,实现所述封装基板(3)与所述陶瓷基板(2)的装配。

5.如权利要求4所述基础电路板,其特征在于,所述卡接孔(32)的周侧为树脂或树脂和纤维的组合物。

6.如权利要求4所述基础电路板,其特征在于,所述卡接孔(32)设置有铜层的镀铜孔;所述卡接铜柱(22)为铜卡接铜柱。

7.如权利要求6所述基础电路板,其特征在于,所述陶瓷基板(2)为双面设置有铜层的电路板,所述陶瓷基板(2)设置有第一线路图形,所述铜卡接铜柱为所属第一线路图形的一部分;

所述封装基板(3)至少包括两层以上的第二线路图形,所述镀铜孔为所述第二线路图形的一部分;

所述镀铜孔与所述铜卡接铜柱通过镀铜工艺实现装配后,所述第一线路图形和第二线路图形实现装配。

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