[发明专利]形成半导体器件的方法

说明书

根据本申请的实施例，提供了形成半导体器件的方法，包括在半导体晶圆上形成晶种层，在晶种层上涂覆光刻胶，实施光刻工艺以曝光光刻胶，以及显影光刻胶以在光刻胶中形成开口。暴露晶种层，并且其中，该开口包括金属焊盘的第一开口和金属线的连接至第一开口的第二开口。在第一开口和第二开口的连接点处，形成金属贴片的第三开口，使得开口和与第一开口相邻的所有角度都大于90度。该方法还包括在光刻胶的开口中镀金属焊盘、金属线和金属贴片，去除光刻胶，以及蚀刻晶种层以留下金属焊盘、金属线和金属贴片。根据本申请的实施例，还提供了其他形成半导体器件的方法。

技术领域

本申请的实施例涉及半导体领域，并且更具体地，涉及形成半导体器件的方法。

背景技术

集成电路包括用于互连目的的各种类型的部件。例如，金属焊盘通常用于上层部件，诸如位于其上的接触插塞、通孔等。金属焊盘可以连接至金属线，金属线比金属焊盘窄得多。金属线可以用于将电信号、电压、电流等电路由至金属焊盘以及与金属焊盘电路由。由于金属焊盘的大尺寸和金属线的小宽度，可能出现可靠性问题。例如，在金属线和金属焊盘之间的界面处可能出现裂缝。而且，与金属焊盘相邻的介电层也可能由于金属焊盘施加的应力而破裂。

发明内容

根据本申请的实施例，提供了一种形成半导体器件的方法，包括：在半导体晶圆上形成晶种层；在晶种层上涂覆光刻胶；实施光刻工艺以曝光光刻胶；显影光刻胶以在光刻胶中形成开口，其中，暴露所述晶种层，并且其中，所述开口包括金属焊盘的第一开口和金属线的连接至所述第一开口的第二开口，其中，在所述第一开口和所述第二开口的连接点处，形成金属贴片的第三开口，使得所述开口和与所述第一开口相邻的所有角度都大于90度；在所述光刻胶的所述开口中镀所述金属焊盘、所述金属线和所述金属贴片；去除所述光刻胶；以及蚀刻所述晶种层以留下所述金属焊盘、所述金属线和所述金属贴片。

根据本申请的实施例，提供了一种形成半导体器件的方法，包括：涂覆光刻胶；图案化所述光刻胶以在所述光刻胶中形成开口，其中，所述开口包括：焊盘部分，其中，所述焊盘部分包括第一边缘；线部分，连接至所述焊盘部分，其中，所述线部分包括第二边缘，并且所述第一边缘和所述第二边缘形成直角；以及三角形贴片部分，包括接触所述第一边缘的第三边缘，和接触所述第二边缘的第四边缘，以及与所述第一边缘和所述第二边缘形成钝角的第五边缘；以及在所述开口中沉积材料以形成连续的部件，其中，所述连续部件包括金属焊盘、连接至所述金属焊盘的金属线，以及分别对应于所述焊盘部分、所述线部分和所述开口的三角形贴片部分的金属贴片。

根据本申请的实施例，提供了一种形成半导体器件的方法，包括：从初始图案去除焊盘的图案，其中，所述初始图案包括所述焊盘的图案，以及连接所述焊盘的图案的线的图案；缩短所述线的图案，以形成缩短的线图案；去除未连接至所述焊盘的图案的图案；尺寸调整所述缩短的线图案以形成尺寸调整的缩短的线图案；对所述尺寸调整的缩短的线图案和尺寸调整的焊盘的图案实施AND操作以生成边界区域；以及将贴片的图案添加至所述边界区域以形成修改的图案。

附图说明

当结合附图进行阅读时，从以下详细描述可最佳理解本发明的各个方面。应该指出，根据工业中的标准实践，各个部件未按比例绘制。实际上，为了清楚的讨论，各个部件的尺寸可以任意地增大或减小。

图1至图11示出了根据一些实施例的封装组件的形成中的中间阶段的截面图和顶视图。

图12示出了根据一些实施例的金属焊盘和金属线的顶视图。

图13示出了根据一些实施例的焊盘和连接线的初始图案。

图14至图19示出了根据一些实施例的可以应用于图案和产生的图案的一些布尔运算。

图20示出了根据一些实施例的包括焊盘和线的初始图案。

图21示出了根据一些实施例的对尺寸调整的焊盘和尺寸调整的线部分实施AND操作以生成边界区域。