[发明专利]去胶设备、顶针监控方法和去胶工艺

说明书

本发明提供了一种去胶设备，包括：腔体，位于所述腔体底部的顶针，以及位于所述腔体侧壁的光谱监控仪；所述顶针用于对晶圆进行升降作用，所述光谱监控仪用于监测所述顶针是否到达正确位置；本发明还提供了一种顶针监控方法，用于监测去胶工艺平台的顶针位置是否异常，包括：光谱监控仪接受晶圆表面的光谱信号；判断光谱信号是否异常；本发明还提供了一种去胶工艺，包括：判断所述顶针位置是否异常；如果没有异常，开始去胶。在本发明提供的去胶设备、顶针监控方法和去胶工艺中，通过对晶圆表面光谱信号的监测来判断顶针的位置是否在合适的位置，使得去胶结果速率正常。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，尤其是涉及一种去胶设备、顶针监控方法和去胶工艺。

背景技术

光刻胶去胶工艺的机台上，由于无静电吸附盘功能，从而无法知道顶针在哪个位置，是在晶圆下面还是边缘升降异常，导致晶圆在垂直位置上位置偏差时，无法及时有效侦测到此异常点，而顶针位置的异常，会导致晶圆无法与高温工站接触从而导致去胶速率异常。

发明内容

本发明的目的在于提供一种去胶设备、顶针监控方法和去胶工艺，通过对晶圆表面光谱信号的监测来判断顶针的位置是否在合适的位置，最终使得去胶结果速率正常。

为了达到上述目的，本发明提供了一种去胶设备，包括：腔体，位于所述腔体底部的顶针，以及位于所述腔体侧壁的光谱监控仪；所述顶针用于对晶圆进行升降作用，所述光谱监控仪用于监测所述顶针是否到达正确位置。

可选的，在所述的去胶设备中，所述光谱监控仪位于所述腔体侧壁上。

可选的，在所述的去胶设备中，所述顶针数量为多个，均匀分布在所述腔体的底部。

本发明还提供了一种顶针监控方法，用于监测去胶工艺平台的顶针位置是否异常，其特征在于，包括：光谱监控仪接受晶圆表面的光谱信号；判断光谱信号是否异常。

可选的，在所述的顶针监控方法中，所述判断信号是否异常的方法包括：光谱信号曲线走向有异常。

可选的，在所述的顶针监控方法中，所述判断信号是否异常的方法包括：光谱信号幅度比正常的信号幅度高时，判断此次光谱信号异常。

本发明还提供了一种去胶工艺，包括：判断所述顶针位置是否异常；如果没有异常，开始去胶。

可选的，在所述的去胶工艺中，顶针位置是否异常包括顶针没有达到腔体最底部的位置。

可选的，在所述的去胶工艺中，所述晶圆在垂直方向的位置的不同，导致所述晶圆的去胶速度不同。

可选的，在所述的去胶工艺中，所述晶圆的去胶速度不同，导致晶圆表面的光谱信号不同。

在本发明提供的去胶设备、顶针监控方法和去胶工艺中，通过对晶圆表面光谱信号的监测来判断顶针的位置是否在合适的位置，使得去胶结果速率正常。

附图说明

图1是本发明实施例的去胶设备的结构示意图；

图中：110-腔体、120-光谱监控仪、130-顶针。

具体实施方式

下面将结合示意图对本发明的具体实施方式进行更详细的描述。根据下列描述，本发明的优点和特征将更清楚。需说明的是，附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比例，仅用以方便、明晰地辅助说明本发明实施例的目的。

在下文中，术语“第一”“第二”等用于在类似要素之间进行区分，且未必是用于描述特定次序或时间顺序。要理解，在适当情况下，如此使用的这些术语可替换。类似的，如果本文所述的方法包括一系列步骤，且本文所呈现的这些步骤的顺序并非必须是可执行这些步骤的唯一顺序，且一些所述的步骤可被省略和/或一些本文未描述的其他步骤可被添加到该方法。