[发明专利]一种IGBT用耐高压有机硅凝胶及其制备方法在审
申请号: | 201911133452.6 | 申请日: | 2019-11-19 |
公开(公告)号: | CN110862692A | 公开(公告)日: | 2020-03-06 |
发明(设计)人: | 朱伟;颜渊巍;熊昌义;高玮;胡钊 | 申请(专利权)人: | 株洲时代新材料科技股份有限公司 |
主分类号: | C08L83/07 | 分类号: | C08L83/07;C08L83/05;C08L83/04;C08L5/08;C08K5/5435;C08K7/24;C08K3/36 |
代理公司: | 长沙朕扬知识产权代理事务所(普通合伙) 43213 | 代理人: | 魏龙霞 |
地址: | 412000 湖*** | 国省代码: | 湖南;43 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 igbt 高压 有机硅 凝胶 及其 制备 方法 | ||
本发明公开了一种IGBT用耐高压有机硅凝胶,为多组分,包括质量配比为(1:1)~(6:1)的A组分和B组分,其中,所述A组分:乙烯基硅油、改性硅油、催化剂;所述B组分包括:乙烯基硅油、补强材料、含氢硅油、阻聚剂。本发明还公开了有机硅凝胶的制备方法。本发明的有机硅凝胶介电强度高(介电强度≥30KV/mm),解决了目前市面上有机硅凝胶无法满足IGBT高压模块的灌封要求的技术难题。
技术领域
本发明属于硅凝胶技术领域,尤其涉及一种IGBT用耐高压有机硅凝胶及其制备方法。
背景技术
IGBT(绝缘栅双极型晶体管)是由BJT(双极型三级管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。IGBT主要应用领域有家电(如变频家电和电磁炉)、轨道交通电机(如高铁)、新能源(如光伏/风电)、汽车(如汽车点火和EV/HEV)等。IGBT模块通常包括紫铜底板、导热绝缘陶瓷覆铜板、芯片、连接导束、电极、控制端子、塑料壳体、有机硅凝胶层和环氧绝缘层。其中,有机硅凝胶因其具有优良的耐温、防水和电气绝缘性能,是电子器件必不可少的封装材料。
目前,国内用于IGBT灌封的有机硅凝胶主要为双组分加成型室温硫化硅橡胶,其市场份额几乎全被瓦克、迈图等跨国公司的产品所垄断。国内关于IGBT有机硅凝胶的研究大多集中在中低压模块,因为这些硅凝胶产品介电强度≤25KV/mm,无法满足高压模块对于介电强度的要求。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是,克服以上背景技术中提到的不足和缺陷,提供一种具有介电强度高、机械性能优秀、流动性好、易于灌封的IGBT用耐高压有机硅凝胶及其制备方法。
为解决上述技术问题,本发明提出的技术方案为:
一种IGBT用耐高压有机硅凝胶,所述有机硅凝胶为多组分,包括质量配比为(1:1)~(6:1)的A组分和B组分,其中,
所述A组分包括以下质量份数的原料:
乙烯基硅油 10~100份,
改性硅油 5~20份,
催化剂 0.001~0.1份;
所述B组分包括以下质量份数的各组分:
上述的有机硅凝胶,优选的,所述乙烯基硅油包括端乙烯基硅油、侧乙烯基硅油、端乙烯基苯基硅油、侧乙烯基苯基硅油、端基和侧链均含乙烯基的硅油中一种或几种。
上述的有机硅凝胶,优选的,所述乙烯基硅油粘度在25℃时为1000~10000mpa.s,乙烯基含量为0.1%~0.3%。
上述的有机硅凝胶,优选的,所述改性硅油包括γ-(2,3环氧丙氧基)丙基三甲氧基硅烷、γ-氨丙基三乙氧基硅烷和羟基硅油中的一种或几种。
上述的有机硅凝胶,优选的,述含氢硅油包括单端氢硅油、端甲基侧氢硅油和双端氢硅油中的一种或几种。
上述的有机硅凝胶,优选的,所述含氢硅油的粘度在25℃时为10~80mpa.s,含氢量为0.01%~1.5%。
上述的有机硅凝胶,优选的,所述补强材料为MQ硅树脂、气相二氧化硅和γ-(甲基丙烯酰氧)丙基三甲氧基硅烷中的一种或几种;
所述催化剂包括氯铂酸的乙烯基硅氧烷络合物、醇改性的氯铂酸、氯铂酸与烯烃的络合物中的一种或几种;
所述阻聚剂包括3,5-二甲基-1-己炔基-3-醇、1-己炔基-1-环己醇、2-甲基-3-丁炔基-2-醇、2-苯基-3-丁炔基-2-醇和乙烯基环体中的一种或多种。
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