[发明专利]用于多光谱图像传感器的复合型滤光结构在审
申请号: | 201911127122.6 | 申请日: | 2019-11-18 |
公开(公告)号: | CN110931519A | 公开(公告)日: | 2020-03-27 |
发明(设计)人: | 曹笈;谷雨;裴海燕;谢咚咚;张海滨;朱启铭 | 申请(专利权)人: | 江苏集萃智能传感技术研究所有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人: | 赵淑芳 |
地址: | 215104 江苏省苏州*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 光谱 图像传感器 复合型 滤光 结构 | ||
1.一种用于多光谱图像传感器的复合型滤光结构,其特征在于,包括基底(1),所述基底(1)上设置有金属孔层(2),所述金属孔层(2)上设置有介质覆盖层(3),所述金属孔层(2)上设置周期性排列的孔单元,所述孔单元包括至少两组不同形状的金属孔。
2.根据权利要求1所述的用于多光谱图像传感器的复合型滤光结构,其特征在于,所述金属孔包括圆孔和十字孔,所述圆孔和十字孔呈间隔排列。
3.根据权利要求2所述的用于多光谱图像传感器的复合型滤光结构,其特征在于,所述十字孔长度为100-200nm,宽度为40nm-80nm,圆孔直径为80-140nm,间隔周期为120nm-220nm。
4.根据权利要求2所述的用于多光谱图像传感器的复合型滤光结构,其特征在于,所述十字孔长度为250-300nm,宽度为40nm-80nm,圆孔直径为150-200nm,间隔周期为300nm-350nm。
5.根据权利要求1所述的用于多光谱图像传感器的复合型滤光结构,其特征在于,所述基底(1)采用石英玻璃或柔性透明材料制成。
6.根据权利要求1所述的用于多光谱图像传感器的复合型滤光结构,其特征在于,所述金属孔层(2)采用金、银、锗、钛或铝制成。
7.根据权利要求1所述的用于多光谱图像传感器的复合型滤光结构,其特征在于,所述介质覆盖层(3)采用二氧化硅、氮化硅、PMMA、氟化镁或氧化铝制成。
8.根据权利要求1所述的用于多光谱图像传感器的复合型滤光结构,其特征在于,所述金属孔层(2)的厚度为100nm~200nm。
9.根据权利要求1所述的用于多光谱图像传感器的复合型滤光结构,其特征在于,所述介质覆盖层(3)的厚度为50nm~200nm。
10.一种多光谱图像传感器,其特征在于,包括权利要求1-9所述的复合型滤光结构及感光元器件,所述复合型滤光结构集成于所述感光元器件上。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的