[发明专利]基于电化学的加工装置和方法

权利要求书

1.一种基于电化学的加工装置，包括成型平台（1）、光源（5）、电源（6）、离子液箱（31）及沉积模型（4），其特征在于：还包括至少一个成型机构，所述成型机构设置于可导电的成型平台（1）的下方且与成型平台（1）之间可相对移动，所述成型机构包括光电轮（2），所述离子液箱（31）中储存有离子液（3），所述光电轮（2）可转动且部分浸没于离子液（3）中，所述离子液（3）被转动的光电轮（2）带至所述光电轮（2）与所述成型平台（1）之间并形成离子液层（39），所述光电轮（2）包括相互结合的内层透明导电层（21）和外层光控导电层（22），所述透明导电层（21）与电源（6）的一极电连接，所述成型平台（1）与电源（6）的另一极电连接，所述光源（5）发出的光束（51）向成型平台（1）的方向透过所述透明导电层（21）可选择性地照射光控导电层（22）。

2.根据权利要求1所述的一种基于电化学的加工装置，其特征在于：所述光控导电层（22）为光导材料层。

3.根据权利要求1所述的一种基于电化学的加工装置，其特征在于：所述光控导电层（22）为由N型半导体层（221）和P型半导体层（222）结合构成的PN结结构，当该加工装置进行电沉积加工时，所述P型半导体层（222）位于N型半导体层（221）的外侧，当该加工装置进行电蚀刻加工时，所述N型半导体层（221）位于P型半导体层（222）的外侧。

4.根据权利要求1所述的一种基于电化学的加工装置，其特征在于：所述光控导电层（22）为PNP型光电三极管阵列结构，当该加工装置进行电沉积加工时，所述光控导电层（22）包括相互结合的内层N型半导体层（221）和外层P型半导体层（222），所述N型半导体层（221）设置有P型半导体阵列（225），所述P型半导体阵列（225）与透明导电层（21）之间形成电连接，所述透明导电层（21）与电源（6）的正极电连接；当该加工装置进行电蚀刻加工时，所述光控导电层（22）包括相互结合的外层N型半导体层（221）和内层P型半导体层（222），所述N型半导体层（221）设置有P型半导体阵列（225），所述P型半导体层（222）与透明导电层（21）形成电连接，所述透明导电层（21）与电源（6）的负极电连接，或者，所述光控导电层（22）为NPN型光电三极管阵列结构，当该加工装置进行电沉积加工时，所述光控导电层（22）包括相互结合的内层N型半导体层（221）和外层P型半导体层（222），所述P型半导体层（222）设置有N型半导体阵列（224），所述N型半导体层（221）与透明导电层（21）之间形成电连接，所述透明导电层（21）与电源（6）的正极电连接；当该加工装置进行电蚀刻加工时，所述光控导电层（22）包括相互结合的内层P型半导体层（222）和外层N型半导体层（221），所述P型半导体层（222）设置有N型半导体阵列（224），所述N型半导体阵列（224）与透明导电层（21）之间形成电连接，所述透明导电层（21）与电源（6）的负极电连接。

5.根据权利要求1所述的一种基于电化学的加工装置，其特征在于：所述离子液箱（31）设置于可导电的成型平台（1）的下方且与成型平台（1）之间可相对移动。

6.根据权利要求1-5中任意一项 所述的一种基于电化学的加工装置，其特征在于：当该加工装置进行电沉积加工时，所述透明导电层（21）与电源（6）的正极电连接，所述成型平台（1）与电源（6）的负极电连接；当该加工装置进行电蚀刻加工时，所述透明导电层（21）与电源（6）的负极电连接，所述成型平台（1）与电源（6）的正极电连接。

7.根据权利要求5所述的一种基于电化学的加工装置，其特征在于：所述成型机构可以沿第一导轨（71）与所述成型平台（1）进行水平方向相对移动，所述成型平台（1）可以沿第二导轨（72）竖直方向移动。

8.根据权利要求5所述的一种基于电化学的加工装置，其特征在于：将可导电的基板（45）固定到所述成型平台（1）上，在所述基板（45）上进行电蚀刻形成蚀刻凹槽（49）。