[发明专利]一种内嵌P+注入区分段型非对称可控硅静电释放器件

权利要求书

1.一种内嵌P+注入区分段型非对称可控硅静电释放器件，其特征在于：包括P型衬底；

所述P型衬底上方设有P型外延层，P型衬底与P型外延层之间设有N型埋层；

所述N型埋层上方从左往右依次设有第一深N阱、第二深N阱和第三深N阱；

所述第一深N阱的左侧设有第一浅P阱，第一深N阱内右上方设有第一浅N阱，第一深N阱与第二深N阱之间设有第二浅P阱，第二深N阱内右上方设有第二浅N阱，第二深N阱与第三深N阱之间设有第三浅P阱，第三深N阱右侧设有第四浅P阱；

所述第一浅P阱中设有第一P+注入区；所述第一浅N阱中设有第一N+注入区；所述第二浅P阱中从左往右沿横向方向依次设有第二P+注入区、第二N+注入区和第三P+注入区，所述第二N+注入区在纵向方向为梳状结构，所述第三P+注入区在纵向方向包含至少一个P+注入区Ⅰ，且每个P+注入区Ⅰ均位于第二N+注入区纵向梳状结构的相邻两个梳齿之间；所述第二浅N阱中设有第三N+注入区；所述第三浅P阱中从左往右沿横向方向依次设有第四P+注入区、第四N+注入区和第五P+注入区，所述第四N+注入区在纵向方向为梳状结构，所述第五P+注入区在纵向方向包含至少一个P+注入区Ⅱ，且每个P+注入区Ⅱ均位于第四N+注入区纵向梳状结构的相邻两个梳齿之间；所述第四浅P阱中设有第六P+注入区；

所述第二N+注入区、第三P+注入区连接在一起并作为器件的阳极；所述第一P+注入区、第四N+注入区、第五P+注入区、第六P+注入区连接在一起并作为器件的阴极。

2.根据权利要求1所述的内嵌P+注入区分段型非对称可控硅静电释放器件，其特征在于：所述第一P+注入区左侧和P型外延层左侧边缘之间为第一场氧隔离区，第一P+注入区右侧与第一N+注入区左侧之间为第二场氧隔离区，第一N+注入区右侧和第二P+注入区左侧之间为第三场氧隔离区，第二P+注入区右侧和第二N+注入区左侧之间为第四场氧隔离区，第二N+注入区和第三N+注入区左侧之间为第五场氧隔离区，第三N+注入区右侧和第四P+注入区左侧之间为第六场氧隔离区，第四P+注入区右侧和第四N+注入区左侧之间为第七场氧隔离区，第四N+注入区和第六P+注入区左侧之间为第八场氧隔离区，所述第六P+注入区右侧和P型外延层右侧边缘之间为第九场氧隔离区。

3.根据权利要求2所述的内嵌P+注入区分段型非对称可控硅静电释放器件，其特征在于，所述静电释放器件的等效电路包括：

第一PNP型晶体管，其中第一浅P阱作为第一PNP型晶体管的发射极，第一浅N阱和第一深N阱作为第一PNP型晶体管的基极，第二浅P阱作为第一PNP型晶体管的集电极；

第一NPN型晶体管，其中第一浅N阱和第一深N阱作为第一NPN型晶体管的集电极，第二浅P阱作为第一NPN型晶体管的基极，第二N+注入区作为第一NPN型晶体管的发射极；

第二NPN型晶体管，其中N型埋层作为第二NPN型晶体管的集电极，第二浅P阱作为第二NPN型晶体管的基极，第二N+注入区作为第二NPN型晶体管的发射极；

第二PNP型晶体管，其中第二浅P阱作为第二PNP型晶体管的发射极，第二浅N阱和第二深N阱作为第二PNP型晶体管的基极，第三浅P阱作为第二PNP型晶体管的集电极；

第三NPN型晶体管，其中第二浅N阱和第二深N阱作为第三NPN型晶体管的集电极，第三浅P阱作为第三NPN型晶体管的基极，第四N+注入区作为第三NPN型晶体管的发射极；

第四NPN型晶体管，其中N型埋层作为第四NPN型晶体管的集电极，第三浅P阱作为第四NPN型晶体管的基极，第四N+注入区作为第四NPN型晶体管的发射极；

在第一浅P阱中形成的第一浅P阱寄生电阻；

在第二浅P阱中形成的第二浅P阱寄生电阻和第三浅P阱寄生电阻；

在第三浅P阱中形成的第四浅P阱寄生电阻。