[发明专利]一种热插拔关断电路及服务器供电系统有效
| 申请号: | 201911117098.8 | 申请日: | 2019-11-15 |
| 公开(公告)号: | CN110995221B | 公开(公告)日: | 2022-06-07 |
| 发明(设计)人: | 李大利 | 申请(专利权)人: | 苏州浪潮智能科技有限公司 |
| 主分类号: | H03K17/082 | 分类号: | H03K17/082 |
| 代理公司: | 北京连和连知识产权代理有限公司 11278 | 代理人: | 张涛 |
| 地址: | 215100 江苏省苏州市吴*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 热插拔关 断电 服务器 供电系统 | ||
1.一种热插拔关断电路,其特征在于,包括以下部件:
金属氧化物半导体场效应晶体管,所述金属氧化物半导体场效应晶体管的漏极连接输入电压,源极连接输出电压;
热插拔芯片,所述热插拔芯片包括栅极驱动引脚和电压斜率控制引脚,所述栅极驱动引脚连接所述金属氧化物半导体场效应晶体管的栅极,所述电压斜率控制引脚连接所述栅极驱动引脚;
第一电容,所述第一电容第一端连接所述电压斜率控制引脚,所述第一电容第二端接地;
其中,所述热插拔芯片配置为响应于所述栅极驱动引脚接收的电流信号大于阈值,断开所述电压斜率控制引脚和所述栅极驱动引脚的连接。
2.根据权利要求1所述的热插拔关断电路,其特征在于,还包括负载电容,所述负载电容与负载并联。
3.根据权利要求2所述的热插拔关断电路,其特征在于,所述第一电容配置为控制所述金属氧化物半导体场效应晶体管栅极和源极之间的电压,以保持恒定电流给所述负载电容充电。
4.根据权利要求3所述的热插拔关断电路,其特征在于,所述热插拔芯片配置为基于充电电流和第一电容的大小设置输出电压斜坡率以使得输出电压以恒定速度上升。
5.根据权利要求4所述的热插拔关断电路,其特征在于,所述热插拔芯片配置为判断输出电压是否达到输入电压,并基于判断结果为是而断开所述电压斜率控制引脚和所述栅极驱动引脚的连接。
6.一种服务器供电系统,其特征在于,包括电源和热插拔关断电路,所述热插拔关断电路包括:
金属氧化物半导体场效应晶体管,所述金属氧化物半导体场效应晶体管的漏极连接输入电压,源极连接输出电压;
热插拔芯片,所述热插拔芯片包括栅极驱动引脚和电压斜率控制引脚,所述栅极驱动引脚连接所述金属氧化物半导体场效应晶体管的栅极,所述电压斜率控制引脚连接所述栅极驱动引脚;
第一电容,所述第一电容第一端连接所述电压斜率控制引脚,所述第一电容第二端接地;
其中,所述热插拔芯片配置为响应于栅极驱动引脚接收的电流信号大于阈值,断开所述电压斜率控制引脚和所述栅极驱动引脚的连接。
7.根据权利要求6所述的服务器供电系统,其特征在于,所述热插拔关断电路还包括负载电容,所述负载电容与负载并联。
8.根据权利要求7所述的服务器供电系统,其特征在于,所述第一电容配置为控制所述金属氧化物半导体场效应晶体管栅极和源极之间的电压,以保持恒定电流给所述负载电容充电。
9.根据权利要求8所述的服务器供电系统,其特征在于,所述热插拔芯片配置为基于充电电流和第一电容的大小设置输出电压斜坡率以使得输出电压以恒定速度上升。
10.根据权利要求9所述的服务器供电系统,其特征在于,所述热插拔芯片配置为判断输出电压是否达到输入电压,并基于判断结果为是而断开所述电压斜率控制引脚和所述栅极驱动引脚的连接。
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