[发明专利]一种套刻误差的补偿方法及装置

说明书

本发明实施例提供一种套刻误差的补偿方法及装置，方法包括：针对当前批次的晶圆，按照预先设置的区域划分规则将所述当前批次的晶圆划分为n个区域，所述n值为大于1的整数；针对不同区域，利用对应的套刻误差补偿值计算模型确定每个区域的套刻误差补偿值；对所述当前批次的下一批次晶圆进行光刻时，利用所述n个区域的套刻误差补偿值分别对所述下一批次晶圆的相应区域的曝光区域进行补偿，其中，所述下一批次晶圆的划分区域所述当前批次晶圆的划分区域相同；如此，对晶圆进行区域划分，针对不同区域确定出对应的套刻误差补偿值，这样确定出的套刻误差补偿值更符合不同区域在光刻时的实际形变，因此可以提高补偿精度，进而确保了晶圆的质量。

技术领域

本发明涉及集成电路技术领域，尤其涉及一种套刻误差的补偿方法及装置。

背景技术

在光刻过程中，由于光刻机的系统误差及环境影响，不可避免地存在套刻误差。

为了确保晶圆质量，均会对套刻误差进行修正。现有技术中一般是采用部分量测的方式对所选的曝光区域shot计算得到的统一的补偿值，将该补偿值作为所有晶圆的补偿值。但是实际应用中，由于晶圆从中心到边缘的形变程度不一致，利用统一的补偿值对所有的曝光区域进行补偿，导致补偿精度较低。

发明内容

针对现有技术存在的问题，本发明实施例提供了一种套刻误差的补偿方法及装置，用于解决现有技术中对套刻误差进行补偿时，补偿精度得不到保证进而导致晶圆质量得不到保证的技术问题。

本发明实施例提供一种套刻误差的补偿方法，所述方法包括：

针对当前批次的晶圆，按照预先设置的区域划分规则将所述当前批次的晶圆划分为n个区域，所述n值为大于1的整数；

针对不同区域，利用对应的套刻误差补偿值计算模型确定每个区域的套刻误差补偿值；

对所述当前批次的下一批次晶圆进行光刻时，利用所述n个区域的套刻误差补偿值分别对所述下一批次晶圆的相应区域的曝光区域进行补偿，其中，所述下一批次晶圆的划分区域所述当前批次晶圆的划分区域相同。

可选地，所述针对当前批次的晶圆，按照预先设置的区域划分规则将所述当前批次的晶圆划分为n个区域，包括：

获取所述当前批次晶圆的尺寸，当所述晶圆尺寸为300～450mm时，按照预先设置的区域划分规则将所述当前批次的晶圆划分为n个区域，所述n为2～4；

当所述晶圆尺寸大于450mm时，按照预先设置的区域划分规则将所述当前批次的晶圆划分为n个区域，所述n为大于1的整数。

可选地，所述按照预先设置的区域划分规则将所述晶圆划分为n个区域，包括：

当所述n值为2时，将所述晶圆划分为中心区域及边缘区域，所述中心区域与所述边缘区域的比例为2:3。

可选地，所述按照预先设置的区域划分规则将所述晶圆划分为n个区域，包括：

当所述n值为3时，将所述晶圆划分为中心区域、边缘区域及第一剩余区域；其中，所述中心区域为所述晶圆总区域的20～22％，所述边缘区域为所述晶圆总区域的25～27％，所述第一剩余区域为所述晶圆总区域的51～53％。

可选地，所述按照预先设置的区域划分规则将所述晶圆划分为n个区域，包括：

当所述n值为4时，将所述晶圆划分为中心区域、边缘区域、第二剩余区域及第三剩余区域；其中，

所述中心区域为所述晶圆总区域的20～22％，所述边缘区域为所述晶圆总区域的36～38％，所述第二剩余区域为所述晶圆总区域的22～24％，所述第三剩余区域为所述晶圆总区域的20～22％；其中，所述第二剩余区域为与所述中心区域相邻的区域，所述第三剩余区域为与所述边缘区域相邻的区域。