[发明专利]一种套刻误差的补偿方法及装置

权利要求书

1.一种套刻误差的补偿方法，其特征在于，所述方法包括：

针对当前批次的晶圆，按照预先设置的区域划分规则将所述当前批次的晶圆划分为n个区域，所述n值为大于1的整数；

针对不同区域，利用对应的套刻误差补偿值计算模型确定每个区域的套刻误差补偿值；

对所述当前批次的下一批次晶圆进行光刻时，利用所述n个区域的套刻误差补偿值分别对所述下一批次晶圆的相应区域的曝光区域进行补偿，其中，所述下一批次晶圆的划分区域所述当前批次晶圆的划分区域相同；其中，

所述按照预先设置的区域划分规则将所述晶圆划分为n个区域，包括：

当所述n值为3时，将所述晶圆划分为中心区域、边缘区域及第一剩余区域；其中，所述中心区域为所述晶圆总区域的20～22％，所述边缘区域为所述晶圆总区域的25～27％，所述第一剩余区域为所述晶圆总区域的51～53％；

所述按照预先设置的区域划分规则将所述晶圆划分为n个区域，包括：

当所述n值为4时，将所述晶圆划分为中心区域、边缘区域、第二剩余区域及第三剩余区域；其中，

所述中心区域为所述晶圆总区域的20～22％，所述边缘区域为所述晶圆总区域的36～38％，所述第二剩余区域为所述晶圆总区域的22～24％，所述第三剩余区域为所述晶圆总区域的20～22％；其中，所述第二剩余区域为与所述中心区域相邻的区域，所述第三剩余区域为与所述边缘区域相邻的区域。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述针对当前批次的晶圆，按照预先设置的区域划分规则将所述当前批次的晶圆划分为n个区域，包括：

获取所述当前批次晶圆的尺寸，当所述晶圆尺寸为300～450mm时，按照预先设置的区域划分规则将所述当前批次的晶圆划分为n个区域，所述n为2～4；

当所述晶圆尺寸大于450mm时，按照预先设置的区域划分规则将所述当前批次的晶圆划分为n个区域，所述n为大于1的整数。

3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述按照预先设置的区域划分规则将所述晶圆划分为n个区域，包括：

当所述n值为2时，将所述晶圆划分为中心区域及边缘区域，所述中心区域与所述边缘区域的比例为2:3。

4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述针对不同区域，利用对应的套刻误差补偿值计算模型确定每个区域的套刻误差补偿值，包括：

当所述区域为中心区域时，获取所述中心区域中预先设定的第一曝光区域；

基于所述第一曝光区域，利用套刻误差补偿值线性计算模型确定所述中心区域的套刻误差补偿值。

5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述针对不同区域，利用对应的套刻误差补偿值计算模型确定每个区域的套刻误差补偿值，包括：

当所述区域为非中心区域时，获取所述非中心区域中预先设定的第二曝光区域；

基于所述第二曝光区域，利用套刻误差补偿值m阶计算模型确定所述非中心区域对应的套刻误差补偿值，所述m为大于1的整数。

6.如权利要求5所述的方法，其特征在于，当所述区域为边缘区域时，所述第二曝光区域为完整的曝光区域。

7.一种套刻误差的补偿装置，其特征在于，所述装置包括：

划分单元，用于针对当前批次的晶圆，按照预先设置的区域划分规则将所述当前批次的晶圆划分为n个区域，所述n值为大于1的整数；

确定单元，用于针对不同区域，利用对应的套刻误差补偿值计算模型确定每个区域的套刻误差补偿值；

补偿单元，用于对所述当前批次的下一批次晶圆进行光刻时，利用所述n个区域的套刻误差补偿值分别对所述下一批次晶圆的相应区域的曝光区域进行补偿，其中，所述下一批次晶圆的划分区域所述当前批次晶圆的划分区域相同。

8.如权利要求7所述的装置，其特征在于，所述划分单元具体用于：

获取所述当前批次晶圆的尺寸，当所述晶圆尺寸为300～450mm时，按照预先设置的区域划分规则将所述当前批次的晶圆划分为n个区域，所述n为2～4；

当所述晶圆尺寸大于450mm时，按照预先设置的区域划分规则将所述当前批次的晶圆划分为n个区域，所述n为大于1的整数；其中，

所述按照预先设置的区域划分规则将所述晶圆划分为n个区域，包括：

当所述n值为3时，将所述晶圆划分为中心区域、边缘区域及第一剩余区域；其中，所述中心区域为所述晶圆总区域的20～22％，所述边缘区域为所述晶圆总区域的25～27％，所述第一剩余区域为所述晶圆总区域的51～53％；

所述按照预先设置的区域划分规则将所述晶圆划分为n个区域，包括：

当所述n值为4时，将所述晶圆划分为中心区域、边缘区域、第二剩余区域及第三剩余区域；其中，

所述中心区域为所述晶圆总区域的20～22％，所述边缘区域为所述晶圆总区域的36～38％，所述第二剩余区域为所述晶圆总区域的22～24％，所述第三剩余区域为所述晶圆总区域的20～22％；其中，所述第二剩余区域为与所述中心区域相邻的区域，所述第三剩余区域为与所述边缘区域相邻的区域。