[发明专利]具有动态升压功能的开环数字PWM包络跟踪系统

权利要求书

1.一种发射器，其特征在于，包括：

包络发生器，用于接收待发送的数据信号，并基于接收的数据信号生成包络信号；

与所述包络发生器耦合的脉冲宽度调制PWM发生器，用于输出PWM信号；

与所述PWM发生器耦合的包络跟踪ET调制器，用于接收所述PWM信号和输出功率放大器PA开关电源；所述ET调制器还用于接收第一电源电压或第二电源电压，其中，所述第二电源电压高于所述第一电源电压；

以及平均功率跟踪APT调制器和升压转换器电路，其中，所述升压转换器电路用于接收所述第一电源电压，并生成所述第二电源电压，所述ET调制器和所述APT调制器共用所述升压转换器电路，且所述升压转换器电路包括电感；

所述ET调制器包括：相互连接的P型金属氧化物半导体PMOS晶体管和N型金属氧化物半导体NMOS晶体管，以及与所述PMOS晶体管和所述NMOS晶体管的栅极端耦合的栅极驱动电路；

其中，所述ET调制器被配置为通过所述栅极驱动电路接收所述PWM信号，通过所述PMOS晶体管输入所述第一电源电压和所述第二电源电压中选择的一个，通过所述NMOS晶体管接地，通过所述PMOS晶体管和所述NMOS晶体管的连接端为所述功率放大器供电；

所述PMOS晶体管包括第一PMOS晶体管和第二PMOS晶体管，所述第一PMOS晶体管用于接收所述第一电源电压，所述第二PMOS晶体管用于接收所述第二电源电压，所述第一PMOS晶体管的栅极端和所述第二PMOS晶体管的栅极端与所述栅极驱动电路连接；

APT开关，用于所述发射器处于APT模式工作时闭合，以及所述发射器处于ET模式运行时断开。

2.根据权利要求1所述的发射器，其特征在于，

所述ET调制器中的所述PMOS晶体管和所述NMOS晶体管的连接端与所述功率放大器之间耦合有第一低通电感电容滤波器电路。

3.根据权利要求1-2任一项所述的发射器，其特征在于，

所述ET调制器的电源电压在所述第一电源电压和所述第二电源电压之间快速切换时，所述升压转换器电路被配置为持续运行并输出所述第二电源电压。

4.根据权利要求1所述的发射器，其特征在于：

所述栅极驱动电路用于输出非重叠的高侧和低侧波形驱动信号。

5.一种发射器系统，其特征在于，包括：

数字基带电路，与功率放大器和所述数字基带电路耦合的收发器，以及为所述功率放大器提供电源电压的包络跟踪ET和平均功率跟踪APT调制器；

其中，所述ET和APT调制器包括ET调制器，APT调制器，升压转换器电路；其中，所述ET调制器和所述APT调制器共用所述升压转换器电路，所述升压转换器电路用于接收可用电源电压，并生成升压电源电压，所述升压电源电压高于所述可用电源电压，且所述升压转换器电路包括电感；

所述ET调制器包括：相互连接的P型金属氧化物半导体PMOS晶体管和N型金属氧化物半导体NMOS晶体管，以及与所述PMOS晶体管和所述NMOS晶体管的栅极端耦合的栅极驱动电路；

其中，所述ET调制器被配置为通过所述PMOS晶体管输入所述可用电源电压和所述升压电源电压中选择的一个，通过所述NMOS晶体管接地，通过所述PMOS晶体管和所述NMOS晶体管的连接端输出所述功率放大器的电源电压;

所述PMOS晶体管包括第一PMOS晶体管和第二PMOS晶体管，所述第一PMOS晶体管用于接收所述可用电源电压，所述第二PMOS晶体管用于接收所述升压电源电压，所述第一PMOS晶体管的栅极端和所述第二PMOS晶体管的栅极端与所述栅极驱动电路连接；

APT开关，用于所述发射器系统处于APT模式工作时闭合，以及所述发射器系统处于ET模式运行时断开。

6.根据权利要求5所述的发射器系统，其特征在于，

所述ET调制器的电源电压在所述可用电源电压和所述升压电源电压之间快速切换时，所述升压转换器电路被配置为持续运行并输出所述升压电源电压。