[发明专利]带温度维持装置的隔离环

说明书

本发明公开了一种带温度维持装置的隔离环，设置于等离子体处理装置内，等离子体处理装置包括由多个壁围成的反应腔，反应腔的上部设置有用于引入气体至反应腔内的气体喷淋头，反应腔的下部设置有用于承载基片的基座，气体喷淋头与基座之间形成有对基片进行处理的等离子体，隔离环环绕于气体喷淋头并限制等离子体于隔离环所设有的壁体内，隔离环包括靠近等离子体的内隔离环及环绕内隔离环的外隔离环，内隔离环与外隔离环之间设置有温度维持装置，用于保持内隔离环温度以防止聚合物沉积于内隔离环表面，此带温度维持装置的隔离环可持续保持高温而有效抑制聚合物的产生。

技术领域

本发明涉及等离子体刻蚀技术领域，尤其涉及一种抑制聚合物沉积的带温度维持装置的隔离环。

背景技术

在等离子体刻蚀设备中，隔离环被用于实现等离子体与反应腔侧壁之间的隔离。在等离子体刻蚀工艺处理过程中，等离子体自身带有的能量形成的热功率可以使得隔离环的温度升高，但是由于现有技术中隔离环被设置成整块式，而使得隔离环靠近等离子体的部分很难被升温至抑制聚合物沉积所需要的温度，因此等离子体时常会在隔离环的表面沉积聚合物，这些沉积聚合物的颗粒掉落至基片上会造成基片的污染问题，而不能保证基片的质量及基片处理地均一性。

因此，亟需一种可实现隔离环持续保持高温而有效抑制聚合物产生的解决方案。

发明内容

有鉴于此，本发明提供了一种带温度维持装置的隔离环，有效解决现有技术存在的问题，使得隔离环靠近等离子体的部分快速升温至可有效抑制聚合物产生所需要的温度。

为实现上述目的，本发明提供一种带温度维持装置的隔离环，设置于等离子体处理装置内，所述等离子体处理装置包括由多个壁围成的反应腔，所述反应腔的上部设置有用于引入气体至反应腔内的气体喷淋头，所述反应腔的下部设置有用于承载基片的基座，所述气体喷淋头与基座之间形成有对基片进行处理的等离子体，所述隔离环环绕于所述气体喷淋头并限制所述等离子体于隔离环所设有的壁体内，所述隔离环包括靠近等离子体的内隔离环及环绕所述内隔离环的外隔离环，所述内隔离环与外隔离环之间设置有温度维持装置，用于保持内隔离环温度以防止聚合物沉积于内隔离环表面。

可选的，所述温度维持装置为一隔热涂层，所述隔热涂层设置于内隔离环与外隔离环之间。

可选的，所述隔热涂层涂覆于内隔离环与外隔离环相对表面的至少之一者。

可选的，所述内隔离环与外隔离环相对表面的至少之一者凹设有凹槽，所述隔热涂层涂覆于该凹槽内。

可选的，所述隔热涂层的厚度为0.5mm至1mm，所述凹槽的深度大于0.5mm。

可选的，所述隔热涂层主要由纳米空心陶瓷微珠形成。

可选的，所述温度维持装置为一内部真空或内部填充有加热气体或加热液体的环形通道。

可选的，所述环形通道形成于隔离环的内部区域内，所述内隔离环与外隔离环相对的表面至少之一者挖设形成该环形通道。

可选的，在成型所述环形通道的过程中将该环形通道抽真空密封处理。

可选的，所述隔离环由一内部设置有管道的升降装置连接设置于反应腔内，所述隔离环上设置有连通所述环形通道与管道的通孔，所述管道用于将所述环形通道抽真空。

可选的，所述隔离环由一内部设置有管道的升降装置连接设置于反应腔内，所述隔离环上设置有连通所述环形通道与管道的通孔，所述管道用于向环形通道内循环充入所述加热气体或加热液体。

可选的，所述环形通道内填充有高压热氮气。

可选的，所述隔离环上设置有连通至所述环形通道的充入口和抽出口，所述充入口和抽出口通过连通至反应腔内设置的管道向环形通道内填充入或抽出所述加热气体或加热液体。