[发明专利]一种倒装芯片封装中具有互连结构的底填方法在审
申请号: | 201911105268.0 | 申请日: | 2019-11-12 |
公开(公告)号: | CN110797267A | 公开(公告)日: | 2020-02-14 |
发明(设计)人: | 朱文辉;黄强;吴厚亚;李祉怡 | 申请(专利权)人: | 中南大学;长沙安牧泉智能科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/48 | 分类号: | H01L21/48;H01L21/60 |
代理公司: | 43235 长沙轩荣专利代理有限公司 | 代理人: | 罗莎 |
地址: | 410000 湖南*** | 国省代码: | 湖南;43 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 底填料 预制板 微凸点 互连结构 芯片 基板 通孔 封装 超声热压焊接 倒装芯片封装 沉积金属 电气连接 封装结构 烘烤固化 模板表面 三维集成 顺序叠放 互连 刻蚀 填胶 填满 凸点 脱模 模具 | ||
1.一种倒装芯片封装中具有互连结构的底填方法,其特征在于,包括如下步骤:
(1)制备底填料预制板
将底填料放置于模具中,进行烘烤固化,脱模后得到底填料模板,在所得底填料模板表面刻蚀通孔,得到底填料预制板;
(2)沉积微凸点
在步骤(1)所得底填料预制板的通孔内沉积金属铜,形成带微凸点的底填料预制板;
(3)组合封装
将基板与步骤(2)所得带微凸点的底填料预制板以及芯片按从下到上的顺序叠放,用超声热压焊接实现芯片与基板之间的电气连接。
2.根据权利要求1所述方法,其特征在于,步骤(1)中通孔直径为15~30μm,通孔节距为20~40μm。
3.根据权利要求1所述方法,其特征在于,步骤(2)中沉积方法包括物理气相沉积、化学气相沉积、热蒸发沉积、电子束蒸发沉积、电镀沉积或化学镀沉积。
4.根据权利要求1所述方法,其特征在于,步骤(3)中芯片与基板内侧设有焊盘,所述芯片和基板通过焊盘与微凸点实现电气连接。
5.根据权利要求4所述具有互连结构的芯片封装底填方法,其特征在于,所述焊盘由合金材料制成,焊盘节距为20~40μm。
6.根据权利要求4或5所述方法,其特征在于,步骤(3)中超声热压焊具体为向芯片施加压力、热量和超声能量,使底填料预制板的微凸点的上端与芯片内侧的焊盘镶嵌,下端与基板内侧的焊盘镶嵌。
7.根据权利要求6所述方法,其特征在于,所述超声热压焊采用超声功率为2~5W,超声时间为100~300ms。
8.根据权利要求6所述方法,其特征在于,所述超声热压焊采用温度为150~300℃,压力为5~10N。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造