[发明专利]一种倒装芯片封装中具有互连结构的底填方法在审

专利信息
申请号: 201911105268.0 申请日: 2019-11-12
公开(公告)号: CN110797267A 公开(公告)日: 2020-02-14
发明(设计)人: 朱文辉;黄强;吴厚亚;李祉怡 申请(专利权)人: 中南大学;长沙安牧泉智能科技有限公司
主分类号: H01L21/48 分类号: H01L21/48;H01L21/60
代理公司: 43235 长沙轩荣专利代理有限公司 代理人: 罗莎
地址: 410000 湖南*** 国省代码: 湖南;43
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摘要:
搜索关键词: 底填料 预制板 微凸点 互连结构 芯片 基板 通孔 封装 超声热压焊接 倒装芯片封装 沉积金属 电气连接 封装结构 烘烤固化 模板表面 三维集成 顺序叠放 互连 刻蚀 填胶 填满 凸点 脱模 模具
【权利要求书】:

1.一种倒装芯片封装中具有互连结构的底填方法,其特征在于,包括如下步骤:

(1)制备底填料预制板

将底填料放置于模具中,进行烘烤固化,脱模后得到底填料模板,在所得底填料模板表面刻蚀通孔,得到底填料预制板;

(2)沉积微凸点

在步骤(1)所得底填料预制板的通孔内沉积金属铜,形成带微凸点的底填料预制板;

(3)组合封装

将基板与步骤(2)所得带微凸点的底填料预制板以及芯片按从下到上的顺序叠放,用超声热压焊接实现芯片与基板之间的电气连接。

2.根据权利要求1所述方法,其特征在于,步骤(1)中通孔直径为15~30μm,通孔节距为20~40μm。

3.根据权利要求1所述方法,其特征在于,步骤(2)中沉积方法包括物理气相沉积、化学气相沉积、热蒸发沉积、电子束蒸发沉积、电镀沉积或化学镀沉积。

4.根据权利要求1所述方法,其特征在于,步骤(3)中芯片与基板内侧设有焊盘,所述芯片和基板通过焊盘与微凸点实现电气连接。

5.根据权利要求4所述具有互连结构的芯片封装底填方法,其特征在于,所述焊盘由合金材料制成,焊盘节距为20~40μm。

6.根据权利要求4或5所述方法,其特征在于,步骤(3)中超声热压焊具体为向芯片施加压力、热量和超声能量,使底填料预制板的微凸点的上端与芯片内侧的焊盘镶嵌,下端与基板内侧的焊盘镶嵌。

7.根据权利要求6所述方法,其特征在于,所述超声热压焊采用超声功率为2~5W,超声时间为100~300ms。

8.根据权利要求6所述方法,其特征在于,所述超声热压焊采用温度为150~300℃,压力为5~10N。

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