[发明专利]电子设备在审
| 申请号: | 201911089598.5 | 申请日: | 2019-11-08 |
| 公开(公告)号: | CN111883554A | 公开(公告)日: | 2020-11-03 |
| 发明(设计)人: | 柳明述 | 申请(专利权)人: | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/22 | 分类号: | H01L27/22;H01L27/24;H01L27/11597;H01L27/112;H01L23/528 |
| 代理公司: | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人: | 许伟群;阮爱青 |
| 地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 电子设备 | ||
1.一种包括半导体存储器的电子设备,
其中,所述半导体存储器包括:
第一列线,其在第一方向上延伸;
第一行线,其在与所述第一方向交叉的第二方向上延伸;
第一存储单元,其位于所述第一行线与所述第一列线之间;
第二列线,其电连接至所述第一列线,所述第二列线在所述第一方向上延伸;
第二行线,其在所述第二方向上延伸;以及
第二存储单元,其位于所述第二行线与所述第二列线之间,
其中,所述第一列线和所述第二列线在与所述第一方向和所述第二方向交叉的第三方向上彼此重叠,
其中,第一个第二列线属于如下区域:在该区域中所述第二行线上的电流路径比在第二个第二列线所属的区域中所述第二行线上的电流路径短,以及
其中,所述第一个第二列线与第一个第一列线的重叠率小于所述第二个第二列线与第二个第一列线的重叠率。
2.根据权利要求1所述的电子设备,其中,第一区域至第n区域沿着所述第二方向顺序地被限定,以及随着从所述第n区域接近所述第一区域,所述第一列线和所述第二列线的重叠率减小,
其中,n是2或更大的整数。
3.根据权利要求2所述的电子设备,其中,所述第二列线在所述第一区域至所述第n区域的每个区域中以第一距离布置。
4.根据权利要求3所述的电子设备,其中,所述第二列线在所述第一区域至所述第n区域之间的边界处以比所述第一距离宽的第二距离布置。
5.根据权利要求1所述的电子设备,还包括:
行电路;以及
接触插塞,其电连接所述行电路和所述第二行线,
其中,所述第一个第二列线所属的区域比所述第二个第二列线所属的区域更靠近所述接触插塞。
6.根据权利要求1所述的电子设备,其中,所述第一行线、所述第一列线、所述第二列线和所述第二行线被顺序地层叠。
7.根据权利要求1所述的电子设备,其中,所述第二行线、所述第二列线、所述第一列线和所述第一行线被顺序地层叠。
8.根据权利要求1所述的电子设备,其中,所述第一列线和所述第二列线在所述第二方向上具有大致相同的宽度。
9.一种包括半导体存储器的电子设备,
其中,所述半导体存储器包括:
第一列线,其在第一方向上延伸;
第一行线,其在与所述第一方向交叉的第二方向上延伸;
第一存储单元,其位于所述第一行线与所述第一列线之间;
第二列线,其电连接至所述第一列线,所述第二列线在所述第一方向上延伸;
第二行线,其在所述第二方向上延伸;以及
第二存储单元,其位于所述第二行线与所述第二列线之间,
其中,所述第一存储单元和所述第二存储单元在与所述第一方向和所述第二方向交叉的第三方向上彼此重叠,
其中,第一个第二存储单元属于如下区域:在该区域中所述第二行线上的电流路径比在第二个第二存储单元所属的区域中所述第二行线上的电流路径短,以及
其中,所述第一个第二存储单元与第一个第一存储单元的重叠率小于所述第二个第二存储单元与第二个第一存储单元的重叠率。
10.根据权利要求9所述的电子设备,其中,第一区域至第n区域沿着所述第二方向顺序地被限定,以及随着从所述第n区域接近所述第一区域,所述第一存储单元和所述第二存储单元的重叠率减小,
其中,n是2或更大的整数。
11.根据权利要求10所述的电子设备,其中,所述第二列线在所述第一区域至所述第n区域的每个中以第一距离布置。
12.根据权利要求11所述的电子设备,其中,所述第二列线在所述第一区域至所述第n区域之间的边界处以比所述第一距离宽的第二距离布置。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





