[发明专利]制造衬底适配器的方法和用于与电子器件连接的衬底适配器在审
申请号: | 201911083771.0 | 申请日: | 2019-11-07 |
公开(公告)号: | CN111293042A | 公开(公告)日: | 2020-06-16 |
发明(设计)人: | A·S·克莱因;A·欣里希;M·沙福尔;Y·勒韦尔;W·施米特;M·莱麦尔 | 申请(专利权)人: | 贺利氏德国有限两合公司 |
主分类号: | H01L21/48 | 分类号: | H01L21/48;H01L23/492 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 刘锋 |
地址: | 德国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 制造 衬底 适配器 方法 用于 电子器件 连接 | ||
本发明涉及一种制造用于与电子器件连接的衬底适配器的方法,具有以下步骤:将至少一个接触材料层如此布置在载体的至少一侧与衬底的表面之间,使得所述接触材料层具有至少一个标定断裂点;以及通过所述接触材料层将载体与衬底接合。本发明还涉及一种用于与电子器件连接的衬底适配器。
技术领域
本发明涉及一种制造衬底适配器的方法。本发明还涉及一种用于与电子器件连接的衬底适配器。
背景技术
现有技术中已揭示过衬底适配器,其被应用在功率电子设备中。这些衬底适配器通常被构建为复合材料,其包括形式为多孔层或脆性层的接触材料、例如可烧结的层或胶粘剂层。如现有技术中所揭示的那样,首先将这些多孔的或可烧结的层施覆至衬底或载体、例如载体膜,且随后将这些层接合成一个层复合体。在DE 10 2011 083 926 A1中例如描述过一种层复合体,其由载体膜和层结构构成,该层结构包括一个多孔的或可烧结的层和一个焊料层。可将该多孔的或可烧结的层接合至电子器件或电子构件,从而实现各电子器件之间的有所改善的连接。在这种方法中将层结构从载体膜揭离,并将多孔的或可烧结的层施覆至电子器件。
此外,DE 10 2009 018 541 A1描述过一种针对电子器件的具有多孔的或可烧结的层的接触构件,包含印刷的金属连接结构。
但现有技术中揭示过的解决方案的缺点在于,在将多孔的或可烧结的层揭离时,在层内可能会发生不受控制的断裂。此外,不受控制的断裂对生产成品率以及产生的产品的品质有负面影响,因为会产生次品或者对故障件作进一步处理。
发明内容
有鉴于此,本发明的目的是提供一种有所改进的制造衬底适配器的方法以及一种衬底适配器,借此克服现有技术的缺点。特别是需要防止接触材料层的断裂,使得能够以可重现且品质相同的方式进行揭离,从而实现稳定的装配过程和较高的生产成品率。
本发明用以达成上述目的的解决方案为一种根据权利要求1的主题的制造衬底适配器的方法。
本发明的制造用于与电子器件连接的衬底适配器的方法具有下列步骤:
将至少一个接触材料层如此布置在载体的至少一侧与衬底的表面之间,使得所述接触材料层具有至少一个标定断裂点;以及
通过所述接触材料层将载体与衬底接合。
所述衬底可为金属片或者金属带区段、特别是为铜片或者铜带区段。铜片也指由铜合金材料构成的板片。铜带区段可以是由铜合金材料构成的带区段。此外,所述衬底可以是引线框架或者DCB衬底或者PCB衬底。优选地,所述金属片或金属带区段、特别是铜片或铜带区段未经过预结构化。就待使用的衬底而言,仅可以实施过定尺剪切和/或侧缘的结构化。
所述衬底可以在至少一侧上涂布有、特别是电镀有包括金(Au)或镍金(NiAu)或银(Ag)或镍银(NiAg)或镍钯金(NiPdAu)的材料。此外,可以将所述材料化学沉积在衬底的至少一侧上。优选地,在未来需要接触的至少一侧上为衬底涂布特别是所述材料。此外,例如可以为衬底的两侧涂布前述材料。
所述接触材料层可以是烧结膏、特别是含银的烧结膏,或者可以是焊料或导电胶粘剂或胶粘膜,其用于衬底与电子器件的实际连接。
所述载体例如可为载体膜、特别是为具有较小附着力的载体膜。此外,可以为晶圆框架绷上UV膜来制造载体。可将配设有接触材料层的衬底粘合至这个UV膜。作为替代方案,也可以将接触材料层施覆至载体,并且将衬底布置在接触材料层上。所述载体用于将衬底适配器从第一生产场所输送至另一生产场所,或从第一生产装置输送至另一生产装置。
根据本发明,所述接触材料层具有至少一个标定断裂点。就此而言,“标定断裂点”可以是指接触材料层中或接触材料层上的一个区域,其在过载情形下以可预测的方式针对性地失效,借此将接触材料层受控地沿这个标定断裂点分离。这个标定断裂点可以位于接触材料层中的一个特别是平行于衬底表面延伸的面或者面区段中。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造