[发明专利]一种晶圆盒及充气系统在审
申请号: | 201911078941.6 | 申请日: | 2019-11-07 |
公开(公告)号: | CN111223805A | 公开(公告)日: | 2020-06-02 |
发明(设计)人: | 陈叶源 | 申请(专利权)人: | 陈叶源 |
主分类号: | H01L21/677 | 分类号: | H01L21/677 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 537100 广西壮族自治区*** | 国省代码: | 广西;45 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 晶圆盒 充气 系统 | ||
本发明涉及集成电路技术领域,且公开了一种晶圆盒及充气系统,包括箱体和箱盖,所述箱体和箱盖活动连接,所述箱盖的内部设有加热腔,所述加热腔通过进气阀连接外部换气设备。该晶圆盒及充气系统,通过较热的新气将旧气压出,由于新旧气的温度不同,密度也不相同,自然形成分层,减少新旧气的对流和混合,注入等体积的新气即可完成旧气的替换,且替换效果更好,通过检测排气阀的排气温度或箱体的底部温度即可了解是否完成替换,更加直观明了,另一方面,新气为温度较高洁净气体,而旧气温度较低,新旧气相遇不会出现因为温度变化而产生的液化现象,托举槽设置的斜面使晶圆朝着一个方向倾斜,盖上箱盖时也不用刻意对准。
技术领域
本发明涉及集成电路技术领域,具体为一种晶圆盒及充气系统。
背景技术
集成电路制作过程中需要经过多种工艺,这些工艺需要在不同区域内进行,晶圆的搬运和存储都需要使用晶圆盒,随着半导体制成技术不断微缩,对晶圆盒内部的环境要求越来越高,需要定时的对晶圆盒进行换气,排除内部水分和氧气,延长晶圆制成的最长等待时间。
在进行换气的时候,由于气体为同种气体,其晶圆盒内空间狭小且分散,气体流动时会产生对流使新气旧气融合在一起,需要填充较多的其他才能将旧气替换出去,同时,由于新旧气体的温度并不相同,当新气的温度低于旧气的时候,旧气中的水汽可能会液化凝结在晶圆表面上,降低晶圆品质,另一方面,由于新旧气为同种气体,难以检测旧气是否完全被新气替换完毕,须得根据经验确定换气时间,但由于晶圆摆放密度和角度以及环境的不同,特别对流产生的死角,换气的时间及效果难以把握。
其次,为了便于放入晶圆,晶圆盒的限位卡槽的宽度大于晶圆及晶圆承载装置的宽度,再用晶圆盒的限位卡槽将晶圆固定,实际使用中,较宽的限位卡槽使得晶圆朝着不同方向倾斜,不方便合上盒盖,为了使晶圆方向倾斜一致,需将晶圆盒放置在一个斜面上,操作颇为不便。
发明内容
针对上述背景技术的不足,本发明提供了一种晶圆盒及充气系统的技术方案,具有充气快速和操作方便的优点,解决了背景技术提出的问题。
本发明提供如下技术方案:一种晶圆盒及充气系统,包括箱体和箱盖,所述箱体和箱盖活动连接,所述箱盖的内部设有加热腔,所述加热腔通过进气阀连接外部换气设备,所述加热腔通过进气通道连通箱体的内腔,所述箱体的底部设有排气阀。
优选的,每片晶圆的两侧均设有至少一个所述进气通道。
优选的,所述箱盖的底部设有固定槽,所述进气通道连通固定槽两侧的内部空腔,所述固定槽内部空腔通过气孔连通箱体的内腔。
优选的,所述箱体的两侧低端固定安装托举槽,所述箱体的底部设置为斜面,所述排气阀安装在箱体的斜面低端。
优选的,所述托举槽的底部一侧设置有斜面。
优选的,所述固定槽对应托举槽底部斜面的一侧适当延长,所述固定槽的延长段设置有两段斜面,且上段斜面接近竖直。
优选的,所述排气阀或箱体的最低处设有温度传感器。
本发明具备以下有益效果:
1、该晶圆盒及充气系统,通过较热的新气将旧气压出,由于新旧气的温度不同,密度也不相同,自然形成分层,减少新旧气的对流和混合,注入等体积的新气即可完成旧气的替换,且替换效果更好,通过检测排气阀的排气温度或箱体的底部温度即可了解是否完成替换,更加直观明了,另一方面,新气为温度较高洁净气体,而旧气温度较低,新旧气相遇不会出现因为温度变化而产生的液化现象。
2、该晶圆盒及充气系统,托举槽设置的斜面使晶圆朝着一个方向倾斜,盖上箱盖时也不用刻意对准,便于操作,特别在自动化的流水线上,对准的精确度要求降低,可节约设备成本。
附图说明
图1为本发明的结构示意图;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造