[发明专利]一种高定向精度硅籽晶制作方法

权利要求书

1.一种高定向精度硅籽晶制作方法，其特征在于具体步骤如下：

步骤(1).截取一段所需取向的圆柱体硅单晶晶锭，经滚圆、端面机械抛光后，在圆柱体一个端面上标注相互垂直的两条直径AB和CD，然后以A、B、C、D为起点，以另一个端面为终点，在圆柱体侧壁上沿轴向标注四条直线AA′、BB′、CC′、DD′；

步骤(2).用切割机将硅单晶晶锭在标注直径的一端切割下一片厚度为0.5～2mm的圆片形硅片；

步骤(3).将切割下的硅片用XRD衍射仪进行定向，确定该硅片与特定晶向的偏离程度和偏离方向；具体如下：

(3-1).将硅片端面的AB线与XRD衍射仪的X射线-探测器平面平行，以θ-2θ方式扫描，确定AB方向特定晶向对应的衍射角2θ₁；

(3-2).将硅片端面转动180度，以θ-2θ扫描，确定BA方向特定晶向对应的衍射角2θ₂；得到沿AB方向的偏离角

(3-3).将硅片端面的CD线与XRD衍射仪的X射线-探测器平面平行，以θ-2θ扫描，确定CD方向特定晶向对应的衍射角2θ₃；

(3-4).将硅片端面再次转动180度，以θ-2θ扫描，确定DC方向特定晶向对应的衍射角2θ₄；得到沿CD方向的偏离角

(3-5).计算特定晶向的总偏离角γ：

(3-6).假设硅片特定晶向的衍射角为2θ₀，将XRD衍射仪的衍射角2θ设置到2θ₀+2γ处，改变硅片的方位角，找出与特定晶向衍射强度极大值对应的方位角，此方向即为偏离最大的方向；

在硅片端面上标注出与XRD衍射仪的X射线-探测器平面平行的直径EF，在直径的连个端点标记E、F，并标示箭头方向；

步骤(4).将标注直径EF后的硅片恢复至硅单晶晶锭原来所在位置，然后以E为起点，以圆柱体另一个端面为终点，在圆柱体侧壁上沿轴向标注直线EE′；

步骤(5).将硅单晶晶锭置于底座上；

所述的底座为台阶圆柱体，包括下部的圆柱形的基底和上部的圆柱形的定位块，基底与定位块同心设置，基底端面直径D₂大于定位块端面直径D₁，定位块端面直径D₁大于硅单晶晶锭端面直径D；

步骤(6).在硅单晶晶锭的E′点处的下端面垫一片金属薄片，将硅单晶晶锭的E′点抬高h，h＝Dsinγ，即纠正了硅单晶晶锭的晶向偏差；

步骤(7).将套筒套在底座上，在套筒内注入环氧树脂4，并固化；

所述的套筒为两端开放的圆柱筒，D₁＜D₃＜D₂，D₃为套筒内径；

步骤(8).将固化在一起的硅单晶晶锭、底座和套筒置于钻孔机，根据需要的硅籽晶直径选定空心金刚砂钻头，钻取圆柱形的圆柱形籽晶，得到晶向偏差很小的硅籽晶。