[发明专利]图像传感器

说明书

一种图像传感器包括：半导体基板，具有第一表面和第二表面；以及像素隔离膜，从半导体基板的第一表面延伸到半导体基板中并在半导体基板中限定有源像素，其中像素隔离膜包括掩埋导电层和绝缘衬垫，掩埋导电层包括以第一浓度含有微细化元素的多晶硅，绝缘衬垫在掩埋导电层和半导体基板之间，以及其中微细化元素包括氧、碳或氟。

技术领域

实施方式涉及图像传感器。

背景技术

图像传感器是将光学图像信号转换成电信号的器件。图像传感器可以包括包含多个光电二极管区域的像素区域、以及用于使像素彼此电分离的像素隔离区域，在所述多个光电二极管区域中入射光被接收并转换成电信号。

发明内容

实施方式可以通过一种提供图像传感器来实现，该图像传感器包括：半导体基板，具有第一表面和第二表面；以及像素隔离膜，从半导体基板的第一表面延伸到半导体基板中并在半导体基板中限定有源像素，其中像素隔离膜包括掩埋导电层和绝缘衬垫，掩埋导电层包括以第一浓度含有微细化元素(fining element)的多晶硅，绝缘衬垫在掩埋导电层和半导体基板之间，以及其中微细化元素包括氧、碳或氟。

实施方式可以通过提供一种图像传感器来实现，该图像传感器包括：半导体基板；以及像素隔离膜，在穿过半导体基板的像素沟槽中并在半导体基板中限定有源像素，其中像素隔离膜包括绝缘衬垫和掩埋导电层，绝缘衬垫在像素沟槽的侧壁上，掩埋导电层在绝缘衬垫上填充在像素沟槽的内部，掩埋导电层包括以第一浓度含有微细化元素的多晶硅，以及其中微细化元素包括氧、碳或氟。

实施方式可以通过提供一种图像传感器来实现，该图像传感器包括：半导体基板，包括多个有源像素；以及像素隔离膜，在所述多个有源像素中的有源像素之间并且在穿过半导体基板的像素沟槽中，其中像素隔离膜包括绝缘衬垫和掩埋导电层，绝缘衬垫在像素沟槽的侧壁上，掩埋导电层在绝缘衬垫上填充在像素沟槽的内部，掩埋导电层包括以第一浓度含有微细化元素的多晶硅，以及其中微细化元素包括氧并且第一浓度为约5at％至约40％。

附图说明

通过参照附图详细描述示例性实施方式，特征将对本领域技术人员明显，附图中：

图1示出了根据示例实施方式的图像传感器的布局图；

图2示出了沿图1的线II-II'截取的剖视图；

图3示出了根据示例实施方式的图像传感器的有源像素的等效电路图；

图4示出了根据示例实施方式的图像传感器的剖视图；

图5示出了根据示例实施方式的图像传感器的剖视图；

图6示出了根据示例实施方式的图像传感器的剖视图；

图7A-7L示出了根据示例实施方式的制造图像传感器的方法中的阶段的剖视图；

图8示出了根据示例实施方式的制造图像传感器的方法的流程图；

图9A-9C示出了根据示例实施方式的制造图像传感器的方法中的阶段的剖视图；

图10示出了根据示例实施方式的制造图像传感器的方法的流程图；

图11示出了根据示例实施方式的制造图像传感器的方法的流程图；

图12A-12D示出了根据示例实施方式的制造图像传感器的方法中的阶段的剖视图；

图13示出了根据示例实施方式的制造图像传感器的方法的流程图；

图14示出了根据示例实施方式的制造图像传感器的方法的流程图；以及

图15示出了根据示例和比较例的包括在图像传感器中的掩埋导电层的X射线衍射分析图。

具体实施方式