[发明专利]物理气相沉积腔室和物理气相沉积设备

说明书

本申请公开了一种物理气相沉积腔室和物理气相沉积设备。该物理气相沉积腔室包括，腔室本体，在所述腔室本体内设置有上电极组件，所述上电极组件包括用于承载磁控管的底板组件，与所述底板组件间隔叠置的背板，以及将所述底板组件与所述背板相连的连接组件，所述连接组件包括连接栓，所述连接栓的栓头与所述底板组件相连，栓杆与所述背板螺纹连接。在使用这种物理气相沉积腔室时，可通过调节连接栓的栓杆与背板的连接长度，就可以实现调节底板组件的位置。由此，可根据要求或实际情况方便地调节底板组件与靶材之间的靶磁间隙的尺寸。

技术领域

本申请涉及半导体制造技术领域，特别涉及一种物理气相沉积腔室。本申请还涉及包括这种物理气相沉积腔室的物理气相沉积设备。

背景技术

在半导体集成电路制造过程中，通常使用物理气相沉积设备来制造多种不同的金属层及相关材料层，其中，应用最为广泛的是磁控溅射设备。

在磁控溅射设备的腔室中，具有磁控管安装组件和承载靶材的靶材承载组件。磁控管安装组件靠近靶材承载组件以给逸出靶材的原子施加磁场力从而驱使原子到达预定沉积的位置。在磁控管安装组件和靶材承载组件之间存在有靶磁间隙，以通过调整靶磁间隙来调节磁场力，进而使得原子能在预定的沉积位置良好地成膜。

发明内容

本发明的第一方面提出了一种物理气相沉积腔室，包括：腔室本体，在所述腔室本体内设置有上电极组件，所述上电极组件包括用于承载磁控管的底板组件，与所述底板组件间隔叠置的背板，以及将所述底板组件与所述背板相连的连接组件，其中，所述连接组件包括连接栓，所述连接栓的栓头与所述底板组件相连，栓杆与所述背板螺纹连接。

在一个实施例中，所述连接组件的数量为多个，并且偏离所述磁控管而间隔布置。

在一个实施例中，所述连接栓的栓头与所述底板组件转动式连接。

在一个实施例中，所述连接栓的栓头构造为凸球面，在所述底板组件上构造有与所述凸球面适配的球座。

在一个实施例中，所述底板组件包括底板主体，在所述底板主体上形成有所述球座和与所述球座连通的贯通孔，所述连接栓的凸球面配合在所述球座内，并且所述栓杆从所述贯通孔中伸出，所述凸球面的直径大于所述贯通孔的直径。

在一个实施例中，所述底板组件还包括具有与所述凸球面适配的凹球面的固定模块，所述固定模块固定在所述底板主体上并且所述凹球面配合于所述凸球面。

在一个实施例中，在所述底板主体上形成有凹陷，所述球座形成在所述凹陷的底面上，所述固定模块嵌入式安装在所述凹陷内，并且所述固定模块的表面与所述底板主体的表面齐平。

在一个实施例中，在所述固定模块上构造有通达所述的凸球面的操作孔，在所述凸球面上对应于所述操作孔构造有操作槽。

在一个实施例中，所述固定模块和所述底板主体通过螺钉固定连接。

在一个实施例中，所述螺钉的数量为多个并且围绕所述球座在周向上均匀间隔布置。

本发明的第二方面提出了一种物理气相沉积设备，其特征在于，包括根据上文所述的物理气相沉积腔室。

与现有技术相比，本发明的有益效果如下：在使用根据本申请的物理气相沉积腔室时，使用者可通过调节连接栓的栓杆与背板的连接长度，就可以实现调节底板组件的位置。由此，可根据要求或实际情况方便地调节底板组件与靶材之间的靶磁间隙的尺寸。

附图说明

此处所说明的附图用来提供对本申请的进一步理解，构成本申请的一部分，本申请的示意性实施例及其说明用于解释本申请，并不构成对本申请的不当限定。在附图中：

图1示意性地显示了本申请一个实施例的物理气相沉积腔室。

图2示意性地显示了本申请一个实施例的上电极组件的简化图。