[发明专利]一种像素结构、图像传感器及终端在审
| 申请号: | 201911061270.2 | 申请日: | 2019-11-01 |
| 公开(公告)号: | CN110854145A | 公开(公告)日: | 2020-02-28 |
| 发明(设计)人: | 杨鑫 | 申请(专利权)人: | OPPO广东移动通信有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H04N5/369;H04N5/378 |
| 代理公司: | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人: | 贾伟;张颖玲 |
| 地址: | 523860 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 像素 结构 图像传感器 终端 | ||
1.一种像素结构,其特征在于,所述像素结构包括:至少两个子像素结构,所述子像素结构包括:滤光片、至少两个偏振光电转换单元和读出电路;
所述至少两个偏振光电转换单元中包括第一类偏振光电转换单元和第二类偏振光电转换单元,所述滤光片、所述第一类偏振光电转换单元和所述第二类偏振光电转换单元沿所述子像素结构入射光的方向依次堆叠放置;
所述滤光片,用于对所述入射光进行过滤,得到能被所述至少两个偏振光电转换单元吸收的特定波段的光信号;
所述第一类偏振光电转换单元,用于吸收第一种特定波段的偏振光信号,并将吸收到的光信号转化为电信号;
所述第二类偏振光电转换单元,用于吸收第二种特定波段的偏振光信号,并将吸收到的光信号转化为电信号;其中,同一个子像素结构中的偏振光电转换单元用于吸收相同偏振方向的偏振光信号,不同子像素结构内的偏振光电转换单元用于吸收不同偏振方向的偏振光信号;
所述读出电路与所述至少两个偏振光电转换单元相连,用于读出所述至少两个偏振光电转换单元的电信号。
2.根据权利要求1所述的像素结构,其特征在于,所述第一类偏振光电转换单元,用于根据感光区域的共振波长吸收第一种特定波段的偏振光信号;
所述第二类偏振光电转换单元,用于根据感光区域的共振波长吸收第二种特定波段的偏振光信号;
其中,所述共振波长为所述第一类偏振光电转换单元或所述第二类偏振光电转换单元的感光区域发生共振吸收时的波长;不同尺寸的感光区域对应不同的共振波长的波段。
3.根据权利要求1或2所述的像素结构,其特征在于,所述偏振光电转换单元的形状为直棱柱;其中,所述偏振光电转换单元的感光区域为直棱柱的多边形上底面。
4.根据权利要求3所述的像素结构,其特征在于,所述直棱柱的多边形底面为长方形,所述偏振光电转换单元吸收的偏振光信号的偏振方向与所述直棱柱的长方形底面的长边方向相同。
5.根据权利要求4所述的像素结构,其特征在于,所述第一类偏振光电转换单元的长方形底面的长为第一长度时,用于吸收第一种特定波段的偏振光信号;
所述第二类偏振光电转换单元的长方形底面的长为第二长度时,用于吸收第二种特定波段的偏振光信号;其中,所述第一长度小于所述第二长度。
6.根据权利要求3所述的像素结构,其特征在于,所述直棱柱的高位于预设的高度范围内;其中,所述预设的高度范围是保证所述偏振光电转换单元的光吸收率大于吸收率阈值的高度范围。
7.根据权利要求1所述的像素结构,其特征在于,所述至少两个偏振光电转换单元中包含M个第一类偏振光电转换单元和M个第二类偏振光电转换单元;其中,M取正整数;
所述M个第一类偏振光电转换单元分布在第一截面上,所述M个第二类偏振光电转换单元分布在第二截面上;其中,所述第一截面和所述第二截面垂直于所述入射光的方向。
8.根据权利要求7所述的像素结构,其特征在于,所述M个第一类偏振光电转换单元的顶端靠近所述滤光片;
所述M个第一类偏振光电转换单元的底端相连,并靠近所述M个第二类偏振光电转换单元的顶端;
所述第二类偏振光电转换单元的底端相连。
9.根据权利要求7所述的像素结构,其特征在于,所述第一类偏振光电转换单元等间距阵列分布在所述第一截面上;所述第二类偏振光电转换单元等间距阵列分布在所述第二截面上。
10.一种图像传感器,其特征在于,所述图像传感器包括上述权利要求1至9中任一项所述的像素结构。
11.一种终端,其特征在于,所述终端包括上述权利要求9中所述的图像传感器。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





