[发明专利]聚偏氟乙烯薄膜的制备方法

说明书

本申请提供一种聚偏氟乙烯薄膜的制备方法，包括步骤：将重均分子量为1.0×10⁵至3.0×10⁵的PVDF分散于溶剂中，形成PVDF溶液；所述PVDF溶液形成于基底上并干燥成型，得到初始膜，其中，定义所述初始膜的熔融曲线的α晶熔融峰的最高点对应的温度为峰值温度A1，定义所述熔融曲线的熔融峰终止点对应的温度为终止温度A2；及对所述初始膜进行退火处理，得到γ晶含量超过40％的聚偏氟乙烯薄膜；其中，所述退火处理的退火温度的范围为A1‑3℃至A2+8℃，或A1‑3℃至A2+5℃。还提供一种电容器的制备方法。

技术领域

本申请涉及一种聚偏氟乙烯薄膜的制备方法。

背景技术

聚偏氟乙烯(PVDF)是一种常见的多晶型聚合物，迄今已发现的晶型有α、β、γ、δ和ε，每种晶型的形成条件不同，在热、电场、机械及辐射能等作用下可实现晶型间的相互转换。其中，γ晶型PVDF对外显示极性，具有良好的压电、铁电、介电以及磁性能，例如，可应用于压电传感器监控人体的心跳和脉搏，也可用于制备铁电存储器内的电容器和晶体管。但是，目前的γ晶型PVDF薄膜的制备方法不能同时满足制备得到的PVDF中γ晶型占比高、制备效率高、对基底材料依赖性小等要求，限制了γ晶型PVDF的应用。

发明内容

有鉴于此，本申请提供一种聚偏氟乙烯薄膜的制备方法，其制备过程对基底材料的依赖性较小，制备效率高，且得到的聚偏氟乙烯薄膜的γ晶型的占比较高。

一种聚偏氟乙烯薄膜的制备方法，包括步骤：将重均分子量为1.0×10⁵至3.0×10⁵的PVDF分散于溶剂中，形成PVDF溶液；所述PVDF溶液形成于基底上并干燥成型，得到初始膜，其中，所述初始膜全部为α晶，定义所述初始膜的熔融曲线的α晶熔融峰的最高点对应的温度为峰值温度A1，定义所述熔融曲线的熔融峰终止点对应的温度为终止温度A2；及对所述初始膜进行退火处理，得到包含γ晶的聚偏氟乙烯薄膜；其中，所述退火处理的退火温度的范围为A1-3℃至A2+8℃。

一种聚偏氟乙烯薄膜的制备方法，包括步骤：将重均分子量为1.0×10⁵至3.0×10⁵的PVDF分散于溶剂中，形成PVDF溶液；所述PVDF溶液形成于基底上并干燥成型，得到初始膜，其中，所述初始膜主要为α晶，所述初始膜还包括有γ晶，定义所述初始膜的熔融曲线的α晶熔融峰的最高点对应的温度为峰值温度A1，定义所述熔融曲线的熔融峰终止点对应的温度为终止温度A2，定义所述初始膜的熔融曲线的γ晶熔融峰的最高点对应的温度为峰值温度A3；及对所述初始膜进行退火处理，得到包含γ晶的聚偏氟乙烯薄膜；其中，所述退火处理的退火温度的范围为A1-3℃至A2+5℃。

一种聚偏氟乙烯薄膜的制备方法，包括步骤：将重均分子量为1.8×10⁵的PVDF分散于溶剂中，形成PVDF溶液；所述PVDF溶液形成于基底上并干燥成型，得到初始膜；及对所述初始膜进行退火处理，得到包含γ晶的聚偏氟乙烯薄膜；其中，所述退火处理的退火温度的范围为173℃至180℃。

一种电容器的制备方法，包括步骤：蒸镀形成第一金属铝层；采用如权利要求1、2或8所述的聚偏氟乙烯薄膜的制备方法，在所述第一金属铝层表面形成聚偏氟乙烯薄膜；及在所述聚偏氟乙烯薄膜表面蒸镀第二金属铝层，得到电容器；其中，所述第一金属铝层及第二金属铝层分别为所述电容器中的两个电极，所述第一金属铝层及第二金属铝层之间的所述聚偏氟乙烯薄膜为所述电容器的绝缘膜。

相较于现有技术，本申请的聚偏氟乙烯薄膜的制备方法，其制备过程对基底材料的依赖性较小，制备效率高，且得到的聚偏氟乙烯薄膜的γ晶型的占比较高。

附图说明

为了更清楚地说明本申请实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。