[发明专利]聚偏氟乙烯薄膜的制备方法

权利要求书

1.一种聚偏氟乙烯薄膜的制备方法，包括步骤：

将重均分子量为1.0×10⁵至3.0×10⁵的PVDF分散于溶剂中，形成PVDF溶液；

所述PVDF溶液形成于基底上并干燥成型，得到初始膜，其中，所述初始膜几乎全部为α晶，定义所述初始膜的熔融曲线的α晶熔融峰的最高点对应的温度为峰值温度A1，定义所述熔融曲线的熔融峰终止点对应的温度为终止温度A2；及

对所述初始膜进行退火处理，得到包含γ晶的聚偏氟乙烯薄膜；其中，所述退火处理的退火温度的范围为A1-3℃至A2+8℃。

2.如权利要求1所述的聚偏氟乙烯薄膜的制备方法，其特征在于，所述退火处理的退火温度的范围为A1+5℃至A2+5℃。

3.一种聚偏氟乙烯薄膜的制备方法，包括步骤：

将重均分子量为1.0×10⁵至3.0×10⁵的PVDF分散于溶剂中，形成PVDF溶液；

所述PVDF溶液形成于基底上并干燥成型，得到初始膜，其中，所述初始膜主要为α晶，所述初始膜还包括有γ晶，定义所述初始膜的熔融曲线的α晶熔融峰的最高点对应的温度为峰值温度A1，定义所述熔融曲线的熔融峰终止点对应的温度为终止温度A2，定义所述初始膜的熔融曲线的γ晶熔融峰的最高点对应的温度为峰值温度A3；及

对所述初始膜进行退火处理，得到包含γ晶的聚偏氟乙烯薄膜；其中，所述退火处理的退火温度的范围为A1-3℃至A2+5℃。

4.如权利要求3所述的聚偏氟乙烯薄膜的制备方法，其特征在于，所述退火处理的退火温度的范围为A1+5℃至A3+3℃。

5.如权利要求1至4任一项所述的聚偏氟乙烯薄膜的制备方法，其特征在于，所述退火处理的升温速率为1℃/min至20℃/min；所述退火处理的降温速率为1℃/min至50℃/min；所述退火处理的退火保温时间为1min至5min。

6.一种聚偏氟乙烯薄膜的制备方法，包括步骤：

将重均分子量为1.8×10⁵的PVDF分散于溶剂中，形成PVDF溶液；

所述PVDF溶液形成于基底上并干燥成型，得到初始膜；及

对所述初始膜进行退火处理，得到包含γ晶的聚偏氟乙烯薄膜；其中，所述退火处理的退火温度的范围为165℃至186℃。

7.如权利要求6所述的聚偏氟乙烯薄膜的制备方法，其特征在于，所述退火处理的退火温度的范围为173℃至180℃。

8.如权利要求6所述的聚偏氟乙烯薄膜的制备方法，其特征在于，所述退火处理的升温速率为1℃/min至20℃/min；所述退火处理的降温速率为1℃/min至50℃/min。

9.如权利要求6所述的聚偏氟乙烯薄膜的制备方法，其特征在于，所述退火处理的升温速率为3℃/min至15℃/min；所述退火处理的降温速率为3℃/min至20℃/min。

10.一种电容器的制备方法，包括步骤：

蒸镀形成第一金属铝层；

采用如权利要求1至9任一项所述的聚偏氟乙烯薄膜的制备方法，在所述第一金属铝层表面形成聚偏氟乙烯薄膜；及

在所述聚偏氟乙烯薄膜表面蒸镀第二金属铝层，得到电容器；其中，所述第一金属铝层及第二金属铝层分别为所述电容器中的两个电极，所述第一金属铝层及第二金属铝层之间的所述聚偏氟乙烯薄膜为所述电容器的绝缘膜。