[发明专利]显示面板及其制造方法

说明书

本申请提供一种显示面板及其制造方法，通过采用激光烧蚀以形成网格连续性好以及精度高的图案化成核抑制层，利用成核抑制层抑制导电层形成于成核抑制层的表面以于非像素区的公共电极上形成连续性好的导电层，以改善公共电极和导电层构成的阴极的电阻压降，提高显示面板显示画面的亮度均一性。

技术领域

本申请涉及显示技术领域，尤其涉及一种显示面板及其制造方法。

背景技术

有机电致发光(Organic Light Emitting Display，OLED)器件具有自发光、全固态、驱动电压低、发光效率高、响应时间短、清晰度与对比度高、近180°视角以及使用温度范围宽，可实现柔性显示与大面积全彩显示等诸多优点，被业界公认为是最有发展潜力的显示装置。

目前，小尺寸OLED在移动智能终端和车载领域的应用已经全面超越液晶显示装置(Liquid Crystal Display，LCD)，未来大尺寸顶发光型且高解析度的OLED显示面板也会全面应用并取代液晶显示装置。OLED显示器件的发光原理为半导体材料和有机发光材料在电场驱动下，通过载流子注入和复合导致有机发光材料发光。现有OLED显示面板通常包括：TFT基板，设于TFT基板上的阳极、设于阳极上的有机发光层及设于有机发光层上的阴极。由于顶发光OLED显示面板是共阴极的结构，且共阴极一般采用透过率高的金属或者透明氧化物，金属阴极会存在面电阻高的问题，对于大尺寸OLED显示面板共阴极面电阻高，会存在严重的电源电压降(IR-drop)，导致大尺寸OLED显示面板不同位置亮度均一性差。

发明内容

本申请的目的在于提供一种显示面板及其制造方法，以解决大尺寸OLED显示面板存在共阴极电阻压降大而导致OLED显示面板不同位置亮度均一性差的问题。

为实现上述目的，技术方案如下：本申请提供一种显示面板的制造方法，所述制造方法包括如下步骤：

提供一基板，所述基板具有像素区和位于所述像素区外的非像素区，所述基板包括设置于所述像素区和所述非像素区的公共电极；

于所述像素区和所述非像素区的所述公共电极上形成成核抑制层，所述成核抑制层用于抑制导电层形成于所述成核抑制层的表面；

采用激光烧蚀去除所述非像素区的所述成核抑制层以形成图案化成核抑制层；

于所述非像素区的所述公共电极上形成所述导电层。

在上述显示面板的制造方法中，所述采用激光烧蚀去除所述非像素区的所述成核抑制层包括如下步骤：

激光器输出波长为340纳米-370纳米的光，且以1.5瓦特-2.2瓦特的输出功率以及500kHz-2000kHz的输出频率工作，烧蚀所述非像素区的所述成核抑制层以形成所述图案化成核抑制层。

在上述显示面板的制造方法中，所述成核抑制层的厚度为25纳米-80纳米。

在上述显示面板的制造方法中，所述制造方法还包括如下步骤：

于所述图案化成核抑制层远离所述基板的表面形成盖封层，所述盖封层的厚度大于所述图案化成核抑制层的厚度。

在上述显示面板的制造方法中，所述盖封层和所述图案化成核抑制层的厚度之和的取值范围为400纳米-600纳米。

在上述显示面板的制造方法中，所述制造方法还包括如下步骤：

形成覆盖所述盖封层和所述导电层的封装层，所述公共电极的折射率大于所述图案化成核抑制层的折射率，所述图案化成核抑制层的折射率大于或等于所述盖封层的折射率，所述盖封层的折射率大于所述封装层的折射率。

在上述显示面板的制造方法中，所述公共电极的制备材料为金属或者金属氧化物。