[发明专利]阵列基板的制造方法、阵列基板及显示面板

说明书

本发明提供一种阵列基板的制造方法、阵列基板及显示面板，阵列基板的制造方法包括：在衬底基板上依次沉积透明导电层和栅极金属层，并进行第一次光刻工艺，以形成像素电极和栅极；在形成有像素电极和栅极的衬底基板上依次沉积栅极绝缘层、金属氧化物半导体层以及保护层，并进行第二次光刻工艺，以形成金属氧化物半导体图形、保护图形、源极和漏极与金属氧化物半导体图形的接触过孔、以及漏极与像素电极的接触过孔；在形成有金属氧化物半导体图形和保护图形的衬底基板上沉积源漏极金属层，并进行第三光刻工艺，以形成源极和漏极，并使漏极和像素电极电连接。本发明能够减少光刻工艺过程的次数，工艺简单，制作成本低。

技术领域

本发明涉及液晶显示领域，尤其涉及一种阵列基板的制造方法、阵列基板及显示面板。

背景技术

随着显示技术的发展，液晶显示器(Liquid Crystal Display，简称LCD)等平面显示装置因具有高画质、省电、机身薄、无辐射等优点，而被广泛的应用于手机、电视、个人数字助理、笔记本电脑等各种消费性电子产品中，成为显示装置中的主流。液晶显示面板一般由相对设置的阵列基板、彩膜基板以及夹设在阵列基板和彩膜基板之间的液晶分子层组成。通过在阵列基板和彩膜基板之间施加驱动电压，可控制液晶分子旋转，从而使背光模组的光线折射出来产生画面。

现有技术提供的阵列基板的制造方法包括六次光刻工艺过程，包括：第一步：在玻璃基板上沉积金属层，进行第一次光刻工艺，形成栅极；第二步，依次沉积栅极绝缘层和铟镓锌氧化物IGZO半导体层，进行第二次光刻工艺，以形成有源岛图形；第三步，沉积刻蚀阻挡层，并进行第三次光刻工艺，以形成刻蚀阻挡图形；第四步，沉积源漏极金属层，并进行第四次光刻工艺，以形成源极和漏极；第五步，沉积钝化层和平坦化层，并进行第五次光刻工艺，以形成导电过孔；第六步，沉积透明导电薄膜，并进行第六次光刻工艺，以形成像素电极以及导电过孔和像素电极的连通图形。

上述现有技术提供的六次光刻工艺过程，工艺复杂，制作成本高。

发明内容

本发明提供一种阵列基板的制造方法、阵列基板及显示面板，能够减少光刻工艺过程的次数，工艺简单，制作成本低。

第一方面，本发明提供一种阵列基板的制造方法，包括：在衬底基板上依次沉积透明导电层和栅极金属层，并进行第一次光刻工艺，以形成像素电极和栅极；在形成有像素电极和栅极的衬底基板上依次沉积栅极绝缘层、金属氧化物半导体层以及保护层，并进行第二次光刻工艺，以形成金属氧化物半导体图形、保护图形、源极和漏极与金属氧化物半导体图形的接触过孔、以及漏极与像素电极的接触过孔；在形成有金属氧化物半导体图形和保护图形的衬底基板上沉积源漏极金属层，并进行第三光刻工艺，以形成源极和漏极，并使漏极和像素电极电连接。

第二方面，本发明提供一种阵列基板，包括衬底基板、像素电极、栅极、透明导电图形、栅极绝缘层、金属氧化物半导体图形、源极、漏极、以及保护图形，像素电极设置在衬底基板上，透明导电图形和像素电极设置在同层，栅极设置在透明导电图形之上，栅极绝缘层覆盖在设有栅极和像素电极的衬底基板上，金属氧化物保护图形和保护图形依次设置在栅极绝缘层上，源极和漏极的至少部分结构设置在金属氧化物半导体图形上，漏极与像素电极电连接，且像素电极和栅极在同一次光刻工艺中形成。

第三方面，本发明提供一种显示面板，包括彩膜基板、液晶层和上述的阵列基板，液晶层夹设在彩膜基板和阵列基板之间。