[发明专利]一种ITO缺陷检测方法及系统

说明书

本发明公开了一种ITO缺陷检测方法，步骤如下：S1：对ITO电路通电，使之发热；S2：对发热的ITO电路进行热成像，得到热成像图片；S3：对所述热成像图片进行处理，得到ITO电路图片；S4：依据所述ITO电路图片，检测所述ITO电路的缺陷。该ITO缺陷检测方法基于热成像对ITO缺陷进行检测，具有较高的检测精度。本发明还公开了一种ITO缺陷检测系统。

技术领域

本发明涉及ITO检测领域，尤其涉及一种ITO缺陷检测方法及系统。

背景技术

ITO是一种透明电极材料，常溅镀成膜于玻璃基板或塑料薄膜等透明衬底的表面上，然后通过刻蚀工艺制作成各种透明电路图案，主要用于生产显示屏和触摸屏等电子元件，是电子工业的基础材料。

在ITO产品的制备及运输过程中，ITO电路常会出现各种缺陷，比如贴合偏移、划伤、划痕、端线、残缺等，需要将存在缺陷的ITO产品分拣出来。目前， ITO产品的缺陷检测主要依靠检测人员利用人眼进行观察和判断，工作量极大，检测人员因疲劳容易产生误判和漏判，而且每个人的视力、观察力和判断标准都不一致，没有统一的检测标准，无法做到标准化和快速化。

尽管目前已经存在基于机器视觉对ITO缺陷进行检测的全自动光学检测系统，但是因ITO的高透特性，光学检测系统的摄像头所拍摄到的ITO电路图片中，ITO电路和透明衬底之间的灰度差异低，难以对ITO电路和透明衬底进行区分，检测精度不高，使用价值低。

发明内容

为了解决上述现有技术的不足，本发明提供一种ITO缺陷检测方法，基于热成像对ITO缺陷进行检测，具有较高的检测精度。

本发明所要解决的技术问题通过以下技术方案予以实现：

一种ITO缺陷检测方法，步骤如下：

S1：对ITO电路通电，使之发热；

S2：对发热的ITO电路进行热成像，得到热成像图片；

S3：对所述热成像图片进行处理，得到ITO电路图片；

S4：依据所述ITO电路图片，检测所述ITO电路的缺陷。

进一步地，步骤S3如下：

S3.1：将所述热成像图片转换为灰度图片；

S3.2：对所述灰度图片进行二值化处理，得到二值化图片；

S3.3：对所述二值化图片进行边缘检测，得到图案边缘；

S3.4：将所述图案边缘作为所述ITO电路的边缘，生成电路图案，得到所述ITO电路图片。

进一步地，在步骤S3.2中，进行二值化处理之前，还包括：获取二值化阈值。

进一步地，所述二值化阈值已预先设置。

进一步地，获取二值化阈值的步骤如下：

提取出所述灰度图片中的灰度最大值；

然后取所述灰度最大值的预设百分比作为所述二值化阈值。

进一步地，所述灰度最大值为所述灰度图片中灰度值最大的像素点的灰度值，或者，所述灰度最大值为所述灰度图片中灰度值最大的多个像素点的灰度平均值。

进一步地，在步骤4中，将所述ITO电路图片与所述ITO电路的设计图案进行比对识别，以检测所述ITO电路的缺陷。

进一步地，还包括：

S5：将检测出缺陷的ITO电路分拣出来。

一种ITO缺陷检测方法，包括：

通电装置，用于对ITO电路通电，使之发热；