[发明专利]一种ITO缺陷检测方法及系统

权利要求书

1.一种ITO缺陷检测方法，其特征在于，步骤如下：

S1：对ITO电路通电，使之发热；

S2：对发热的ITO电路进行热成像，得到热成像图片；

S3：对所述热成像图片进行处理，得到ITO电路图片；

S4：依据所述ITO电路图片，检测所述ITO电路的缺陷；

其中，步骤S3如下：

S3.1：将所述热成像图片转换为灰度图片；

S3.2：对所述灰度图片进行二值化处理，得到二值化图片；

S3.3：对所述二值化图片进行边缘检测，得到图案边缘；

S3.4：将所述图案边缘作为所述ITO电路的边缘，生成电路图案，得到所述ITO电路图片。

2.根据权利要求1所述的ITO缺陷检测方法，其特征在于，在步骤S3.2中，进行二值化处理之前，还包括：获取二值化阈值。

3.根据权利要求2所述的ITO缺陷检测方法，其特征在于，所述二值化阈值已预先设置。

4.根据权利要求2所述的ITO缺陷检测方法，其特征在于，获取二值化阈值的步骤如下：

提取出所述灰度图片中的灰度最大值；

然后取所述灰度最大值的预设百分比作为所述二值化阈值。

5.根据权利要求4所述的ITO缺陷检测方法，其特征在于，所述灰度最大值为所述灰度图片中灰度值最大的像素点的灰度值，或者，所述灰度最大值为所述灰度图片中灰度值最大的多个像素点的灰度平均值。

6.根据权利要求1所述的 ITO缺陷检测方法，其特征在于，在步骤4中，将所述ITO电路图片与所述ITO电路的设计图案进行比对识别，以检测所述ITO电路的缺陷。

7.根据权利要求1所述的 ITO缺陷检测方法，其特征在于，还包括：

S5：将检测出缺陷的ITO电路分拣出来。

8.一种ITO缺陷检测装置，其特征在于，包括：

通电装置，用于对ITO电路通电，使之发热；

热成像装置，用于对发热的ITO电路进行热成像，得到热成像图片；

处理装置，用于对所述热成像图片进行处理，得到ITO电路图片，然后依据所述ITO电路图片，检测所述ITO电路的缺陷；

其中，所述处理装置在对所述热成像图片进行处理时，包括如下步骤：

将所述热成像图片转换为灰度图片；

对所述灰度图片进行二值化处理，得到二值化图片；

对所述二值化图片进行边缘检测，得到图案边缘；

将所述图案边缘作为所述ITO电路的边缘，生成电路图案，得到所述ITO电路图片。

9.根据权利要求8所述的ITO缺陷检测装置，其特征在于，还包括：

分拣装置，用于将检测出缺陷的ITO电路分拣出来。