[发明专利]基片处理装置

说明书

本发明提供一种基片处理装置。基片处理装置包括：处理容器；载置台，其配置在上述处理容器的内部，能够载置基片；配置在上述处理容器与上述载置台之间的形成阳极的部件，上述部件具有供热交换介质流动的流路。本发明能够提高热响应性。

技术领域

本发明涉及一种基片处理装置。

背景技术

例如，已知对晶片等基片实施规定处理的基片处理装置。

专利文献1公开了一种基片处理装置，其包括：具有开口部的圆筒状的腔室；沿腔室的内壁配置，在与腔室的开口部对应的位置具有开口部的沉积物遮挡件；以及开闭沉积物遮挡件的开口部的开闭件。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2015-126197号公报

发明内容

发明要解决的技术问题

在一个方面，本发明提供一种热响应性提高的基片处理装置。

用于解决技术问题的技术方案

为了解决上述技术问题，依照一个方式，提供一种基片处理装置，其包括：处理容器；载置台，其配置在上述处理容器的内部，能够载置基片；和配置在上述处理容器与上述载置台之间的形成阳极的部件，上述部件具有供热交换介质流动的流路。

发明效果

在一个方面，能够提供热响应性提高的基片处理装置。

附图说明

图1是表示一实施方式的等离子体处理装置的一例的截面示意图。

图2是表示一实施方式的等离子体处理装置的开闭件的一例的立体图。

图3是表示一实施方式的等离子体处理装置的开闭件的内部结构的一例的局部截面立体图。

图4是表示温度分布的模拟结果的一例的立体图。

图5是表示流路内的制冷剂的流动的示意图。

图6是表示一实施方式的等离子体处理装置的挡板的内部结构的一部的横截面图。

图7的(a)是表示图6的H-H截面，图7的(b)是表示图6的I-I截面的图。

附图标记说明

2 处理容器

2a 开口部(第一开口部)

5 工作台(载置台)

20 挡板(部件)

20a 缝隙

22 开闭件(部件)

23 沉积物遮挡件(部件)

23a 开口部(第二开口部)

71、73 导入管

72、74 排出管

S1 等离子体处理室

S2 排气空间

201～203 流路

221、231 流路

221a 流出面

222 侧壁部

223 肋