[发明专利]体声波部件及等离子体切割该体声波部件的方法

说明书

本公开的多个方面涉及制造体声波部件的方法。这样的方法包括等离子体切割以将单个体声波部件单片化。可在体声波部件的基板上方形成缓冲层，使得街区被外露。可沿着外露街区对体声波部件进行等离子体切割，从而将体声波部件单片化。公开了相关的体声波部件。

优先权申请的交叉引用

本申请要求2018年10月18日提交的题为“BULK ACOUSTIC WAVE COMPONENTS ANDMETHODS OF PLASMA DICING THE SAME”的美国临时专利申请62/747,486的优先权的权益，其公开内容通过全文引用而并入本文中。

技术领域

本申请的实施例涉及声波部件，并且更具体地，涉及体声波部件。

背景技术

声波滤波器可在射频电子系统中实现。例如，移动电话的射频前端中的滤波器可包括声波滤波器。声波滤波器可对射频信号进行滤波。声波滤波器可以是带通滤波器。可将多个声波滤波器布置为多路复用器。例如，可将两个声波滤波器布置为双工器。

声波滤波器可包括被布置为对射频信号进行滤波的多个声波谐振器。示例声波滤波器包括表面声波(surface acoustic wave，SAW)滤波器和体声波(bulk acoustic wave，BAW)滤波器。BAW滤波器包括BAW谐振器。示例BAW谐振器包括薄膜体声波谐振器(film bulkacoustic wave resonator，FBAR)和牢固安装的谐振器(solidly mounted resonator，SMR)。在BAW谐振器中，声波在压电层的主体中传播。

BAW部件可包括被包封在经密封的部分内的经封装的BAW谐振器。封装结构增加了BAW部件的尺寸。希望在不牺牲可靠性和性能的情况下减小BAW部件的尺寸。

发明内容

权利要求书中描述的每个创新都有几个方面，没有哪个方面单独负责其期望的属性。在不限制权利要求书的范围的情况下，现在将简要描述本申请的一些显著特征。

本申请的一个方面是一种制造单片化体声波部件的方法。该方法包括在体声波部件的阵列的基板上方形成缓冲层，以便在各个体声波部件之间形成外露街区(exposedstreet)。该方法还包括沿着外露街区等离子体切割体声波部件，从而将体声波部件单片化。

每个单片化体声波部件可包括体声波谐振器和包封所述体声波谐振器的盖体。盖体可包括距相应的单片化体声波部件的基板的边缘5微米或更小的侧壁。侧壁可距相应的单片化体声波部件的边缘至少1微米。侧壁可包括铜。

等离子体切割可包括蚀刻穿过基板和盖体基板这两者。体声波部件可包括位于基板上方和盖体基板下方的体声波谐振器。基板和盖体基板可以是硅基板。

该方法还可包括在基板上方形成导体。导体可从延伸穿过所述基板的通孔横向延伸。导体可电连接至通孔中的导电层。可执行形成缓冲层，以使得缓冲层在导体的至少一部分上方。该方法还可包括在导体上方形成焊料，使得焊料与通孔不重叠。

基板可以是硅基板。缓冲层可以是在等离子体切割期间比硅蚀刻至少慢30倍的材料。缓冲层可包括树脂。形成缓冲层可包括借助于光刻工艺形成外露街区。

每个体声波部件可包括薄膜体声波谐振器。

本申请的另一个方面是一种制造体声波部件的方法。该方法包括提供与第二晶圆结合的第一晶圆。第一晶圆在其上具有体声波谐振器。第二晶圆在体声波谐振器上方并与之间隔开。该方法包括在第一晶圆的与体声波谐振器相反的一侧上形成缓冲层，使得街区被外露。该方法包括沿着外露街区，等离子体切割贯穿第一晶圆和第二晶圆，以形成单片化体声波部件。

第一晶圆和第二晶圆可以是硅晶圆。