[发明专利]体声波部件及等离子体切割该体声波部件的方法

权利要求书

1.一种制造单片化体声波部件的方法，所述方法包括：

在体声波部件的阵列的基板上方形成缓冲层，以便在各个体声波部件之间形成外露街区；以及

沿着所述外露街区等离子体切割所述体声波部件，以从而将所述体声波部件单片化。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，每个所述单片化体声波部件包括体声波谐振器和包封所述体声波谐振器的盖体，并且所述盖体包括距相应的单片化体声波部件的所述基板的边缘5微米或更小的侧壁。

3.根据权利要求2所述的方法，其中，所述侧壁距所述相应的单片化体声波部件的所述边缘至少1微米。

4.根据权利要求2所述的方法，其中，所述侧壁包括铜。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，所述等离子体切割包括蚀刻穿过所述基板和盖体基板两者，所述体声波部件包括位于所述基板上方和所述盖体基板下方的体声波谐振器。

6.根据权利要求5所述的方法，其中，所述基板和所述盖体基板是硅基板。

7.根据权利要求1所述的方法，还包括在所述基板上方形成导体，所述导体从延伸穿过所述基板的通孔横向延伸，并且所述导体电连接至所述通孔中的导电层。

8.根据权利要求7所述的方法，其中，执行形成所述缓冲层，使得所述缓冲层在所述导体的至少一部分上方。

9.根据权利要求7所述的方法，还包括在所述导体上方形成焊料，使得所述焊料不与所述通孔重叠。

10.根据权利要求1所述的方法，其中，所述基板是硅基板。

11.根据权利要求10所述的方法，其中，所述缓冲层是在所述等离子体切割期间比硅蚀刻至少慢30倍的材料。

12.根据权利要求1所述的方法，形成所述缓冲层包括借助于光刻工艺形成所述外露街区。

13.根据权利要求1所述的方法，其中，每个所述体声波部件均包括薄膜体声波谐振器。

14.一种制造体声波部件的方法，所述方法包括：

提供与第二晶圆键合的第一晶圆，所述第一晶圆上具有体声波谐振器，并且所述第二晶圆在所述体声波谐振器上方并与之间隔开；

在所述第一晶圆的与所述体声波谐振器相反的一侧上形成缓冲层，使得街区外露；并且

沿着所述外露街区，等离子体切割贯穿所述第一晶圆和所述第二晶圆，以形成单片化体声波部件。

15.根据权利要求14所述的方法，其中，所述第一晶圆和所述第二晶圆是硅晶圆。

16.根据权利要求14所述的方法，其中，每个所述单片化体声波部件包括所述体声波谐振器中的体声波谐振器和包封所述体声波谐振器的盖体，所述盖体包括侧壁。

17.根据权利要求16所述的方法，其中，所述侧壁在距所述相应的单片化体声波部件的基板的边缘为1微米至5微米的范围内，所述基板对应于等离子体切割之前的所述第一晶圆的一部分。

18.一种制造体声波部件的方法，所述方法包括：

在体声波部件的硅基板上方形成缓冲层，使得街区外露；以及

沿着所述外露街区等离子体切割所述体声波部件，从而将所述体声波部件单片化，每个所述单片化体声波部件包括体声波谐振器和包封所述体声波谐振器的盖体，并且所述盖体包括硅盖体基板和侧壁，该侧壁以1微米至5微米的范围内的距离与相应的所述单片化体声波部件的所述硅基板的边缘间隔开。