[发明专利]光电转换装置和包括光电转换装置的装备

权利要求书

1.一种光电转换装置，其特征在于，所述光电转换装置包括受光区域和遮光区域，并且包括：

半导体层，其中，在受光区域中布置有多个第一光电转换器，并且在遮光区域中布置有多个第二光电转换器；

遮光壁，布置在半导体层上方并被配置为限定分别与所述多个第一光电转换器对应的多个孔；以及

遮光膜，布置在半导体层上方，

遮光膜包括沿着半导体层的主表面延伸以覆盖所述多个第二光电转换器的第一部分，所述第一部分在半导体层侧具有下表面并且在下表面的相对侧具有上表面，并且

遮光壁包括第二部分，所述第二部分与半导体层的距离大于上表面和主表面之间的距离，

其中第一部分在垂直于主表面的方向上的厚度大于第二部分在平行于主表面的方向上的厚度。

2.一种光电转换装置，其特征在于，所述光电转换装置包括受光区域和遮光区域，并且包括：

半导体层，其中，在受光区域中布置有多个第一光电转换器，并且在遮光区域中布置有多个第二光电转换器；

遮光壁，布置在半导体层上方并被配置为限定分别与所述多个第一光电转换器对应的多个孔；以及

遮光膜，布置在半导体层上方，

遮光膜包括沿着半导体层的主表面延伸以覆盖所述多个第二光电转换器的第一部分，所述第一部分在半导体层侧具有下表面并且在下表面的相对侧具有上表面，并且

遮光壁包括第二部分，所述第二部分与半导体层的距离大于上表面和主表面之间的距离，

其中形成遮光膜的材料的光吸收系数大于形成遮光壁的材料的光吸收系数，并且/或者第一部分在垂直于主表面的方向上的透光率低于遮光壁在平行于主表面的方向上的透光率。

3.如权利要求2所述的装置，其中遮光壁由钨制成，并且遮光膜由铝制成。

4.一种光电转换装置，其特征在于，所述光电转换装置包括受光区域和遮光区域，并且包括：

半导体层，其中，在受光区域中布置有多个第一光电转换器，并且在遮光区域中布置有多个第二光电转换器；

遮光壁，布置在半导体层上方并被配置为限定分别与所述多个第一光电转换器对应的多个孔；以及

遮光膜，布置在半导体层上方，

遮光膜包括沿着半导体层的主表面延伸以覆盖所述多个第二光电转换器的第一部分，所述第一部分在半导体层侧具有下表面并且在下表面的相对侧具有上表面，并且

遮光壁包括第二部分，所述第二部分与半导体层的距离大于上表面和主表面之间的距离，

其中第一部分由铝制成，并且第二部分由钨制成。

5.如权利要求1至4中任一项所述的装置，其中遮光壁被布置为形成矩阵。

6.如权利要求1至4中任一项所述的装置，其中遮光壁包括在到主表面的正交投影中布置在所述多个第一光电转换器当中布置在最靠近遮光区域的位置处的第一光电转换器与所述多个第二光电转换器当中布置在最靠近受光区域的位置处的第二光电转换器之间的部分。

7.如权利要求1至4中的任一项所述的装置，还包括分别与所述多个第一光电转换器对应的多个片上透镜以及分别与所述多个第二光电转换器对应的多个片上透镜。

8.如权利要求7所述的装置，还包括布置在分别与所述多个第一光电转换器对应的所述多个片上透镜之一和所述多个第一光电转换器之一之间的层内透镜，以及布置在分别与所述多个第二光电转换器对应的所述多个片上透镜之一和所述多个第二光电转换器之一之间的层内透镜。

9.如权利要求1至4中的任一项所述的装置，其中

遮光膜和半导体层通过由钨制成的部分电连接，并且/或者

遮光膜和半导体层在与受光区域和遮光区域不同的区域中电连接。

10.如权利要求1至4中任一项所述的装置，还包括：

布置在遮光膜和半导体层之间的绝缘膜，以及

布置在遮光膜和绝缘膜之间的金属化合物膜和/或金属膜。