[发明专利]存储器阵列和形成集成式组合件的方法

权利要求书

1.一种存储器阵列，其包括：

交替的绝缘层级和字线层级的竖直堆叠，所述字线层级包括具有末端的导电字线材料；电荷阻挡材料沿着所述导电字线材料的所述末端并且具有从所述导电字线材料的所述末端侧向向外的第一竖直面；所述绝缘层级具有含第二竖直面的末端；所述第二竖直面相对于所述第一竖直面侧向偏移；

电荷捕集材料，其沿着所述第一竖直面，并且部分地沿着所述第二竖直面延伸；所述电荷捕集材料配置为彼此上下布置并且通过延伸到所述第二竖直面的中介间隙彼此竖直间隔开的段；

电荷隧穿材料，其沿着所述电荷捕集材料的所述段延伸；和

沟道材料，其沿着所述堆叠竖直延伸，并且通过所述电荷隧穿材料与所述电荷捕集材料间隔开；所述沟道材料延伸到所述电荷捕集材料的所述段之间的所述中介间隙中。

2.根据权利要求1所述的存储器阵列，其中所述电荷捕集材料沿着所述第二竖直面的第一表面区域延伸；且其中所述第一表面区域小于或等于所述第二竖直面的总表面区域的约90％。

3.根据权利要求1所述的存储器阵列，其中所述第一表面区域小于或等于所述第二竖直面的所述总表面区域的约50％。

4.根据权利要求1所述的存储器阵列，其中所述第一表面区域小于或等于所述第二竖直面的所述总表面区域的约30％。

5.根据权利要求1所述的存储器阵列，其中所述第一表面区域在从所述第二竖直面的所述总表面区域的至少约10％到小于或等于所述第二竖直面的所述总表面区域的约90％的范围内。

6.根据权利要求1所述的存储器阵列，其中所述第二竖直面从所述第一竖直面侧向向外。

7.根据权利要求1所述的存储器阵列，其中所述第二竖直面从所述第一竖直面侧向向外达在从约到约的范围内的距离。

8.根据权利要求1所述的存储器阵列，其中所述电荷阻挡材料包含二氧化硅；且其中所述第一竖直面沿着所述二氧化硅。

9.根据权利要求1所述的存储器阵列，其中所述电荷阻挡材料包含二氧化硅和氧化铝；且其中所述第一竖直面沿着所述二氧化硅。

10.根据权利要求1所述的存储器阵列，其中所述绝缘层级包含二氧化硅；且其中所述第二竖直面沿着所述二氧化硅。

11.根据权利要求1所述的存储器阵列，其中所述电荷隧穿材料包含氮化硅和氮氧化硅中的一个或两个。

12.根据权利要求1所述的存储器阵列，其中所述电荷隧穿材料包含介于一对外组成物之间的中间组成物；其中所述外组成物包括二氧化硅；且其中所述中间组成物包括氮化硅和氮氧化硅中的一个或两个。

13.根据权利要求12所述的存储器阵列，其中所述中间组成物完全跨所述中介间隙延伸。

14.根据权利要求12所述的存储器阵列，其中所述中间组成物不完全跨所述中介间隙延伸。