[发明专利]一种硫化锌薄膜的制备方法及具有硫化锌薄膜的薄膜晶体管

权利要求书

1.一种硫化锌薄膜的制备方法，其硫化锌薄膜通过溅射生成，其特征在于，包括以下步骤：

将溅射目标物放置于溅射腔体内的托盘中，将硫化锌的作为溅射靶材放置于溅射腔体内的RF电源上，该溅射腔体的两根气源管路分别连接Ar气源和H₂S气源，溅射腔体的出气管连接真空泵；

在Ar气源和H2S气源关闭的情况下，通过真空泵使溅射腔体的腔体真空小于1x 10^-8Torr；

在Ar气源总阀关闭的情况下，打开Ar气源的气源管路，在第一预设时间内通入Ar气体，然后关闭Ar气源的气源管路，继续通过真空泵进行抽真空处理，使溅射腔体的腔体真空小于1x 10^-8Torr；

在H₂S气源总阀关闭的情况下，打开H₂S气源的气源管路，在第二预设时间内通入H₂S气体，然后关闭H₂S气源的气源管路，继续通过真空泵进行抽真空处理，使溅射腔体的腔体真空小于1x 10^-8Torr；

RF电源接通，使硫化锌在真空环境下溅射到溅射目标物上并形成硫化锌薄膜。

2.根据权利要求1所述的硫化锌薄膜的制备方法，其特征在于，所述溅射腔体内于所述硫化锌的溅射还设置有挡板，所述挡板用于防止硫化锌溅射到除所述溅射目标物之外的其他物体上，硫化锌薄膜溅射生成的厚度为60nm。

3.根据权利要求2所述的硫化锌薄膜的制备方法，其特征在于，所述第一预设时间和所述第二预设时间均为一分钟。

4.根据权利要求3所述的硫化锌薄膜的制备方法，其特征在于，溅射过程中，所述RF电源的功率为120W。

5.一种具有硫化锌薄膜的薄膜晶体管，其特征在于，所述薄膜晶体管内设有由权利要求1至4任一项所述方法生成的硫化锌薄膜，以将所述硫化锌薄膜作为薄膜晶体管的有源层。

6.根据权利要求5所述的具有硫化锌薄膜的薄膜晶体管，其特征在于，所述硫化锌薄膜生成后通过图形化处理后形成所述有源层。

7.根据权利要求6所述的具有硫化锌薄膜的薄膜晶体管，其特征在于，所述薄膜晶体管具有底栅型和顶栅型两种结构；

当薄膜晶体管为底栅型时，所述硫化锌薄膜以薄膜晶体管的栅氧化层作为溅射目标物通过溅射生成，由硫化锌薄膜形成的有源层位于薄膜晶体管的栅氧化层与钝化层之间，所述薄膜晶体管的源接触电极和漏接触电极分别连接至有源层；

当薄膜晶体管为顶栅型时，所述硫化锌薄膜以薄膜晶体管的缓冲绝缘层作为溅射目标物通过溅射生成，由硫化锌薄膜形成的有源层位于薄膜晶体管的缓冲绝缘层栅氧化层之间，所述薄膜晶体管的源接触电极和漏接触电极分别连接至有源层。