[发明专利]一种用于电光调制器温度漂移抑制的晶体散热结构及制作方法

权利要求书

1.一种用于电光调制器温度漂移抑制的晶体散热结构，包括Y切Z传光的铌酸锂晶体、热沉，其特征在于，所述热沉朝向铌酸锂晶体方向表面生长有若干碳纳米管形成整体为矩形体的碳纳米管阵列，围绕所述碳纳米管阵列形成的矩形体四周侧面涂覆有环绕连贯的导热导电密封银胶；所述铌酸锂晶体底面与碳纳米管阵列上表面直接接触，并通过碳纳米管阵列四周涂覆的导热导电密封银胶粘合固定；所述铌酸锂晶体的两个Z端面分别固定设置有透明多层的石墨烯薄膜，所述石墨烯薄膜与铌酸锂晶体之间通过透明导电胶粘合固定；所述两个Z端面的石墨烯薄膜与碳纳米管阵列四周涂覆的导热导电密封银胶通过透明导电胶电气连接，两个Z端面的石墨烯薄膜之间通过环绕连贯的导热导电密封银胶形成电气连接。

2.如权利要求1所述的晶体散热结构，其特征在于，所述石墨烯薄膜为厚度5纳米至10纳米的多层石墨烯薄膜。

3.如权利要求1所述的晶体散热结构，其特征在于，所述碳纳米管阵列的管径为6纳米至15纳米，堆积密度10¹¹至10¹²cm^-2，质量密度0.02至0.04克每立方厘米。

4.如权利要求1至3之一所述的晶体散热结构，其特征在于，所述碳纳米管阵列中的碳纳米管高度为0.3毫米。

5.如权利要求1所述的晶体散热结构，其特征在于，所述热沉为厚度20微米至25微米的硅基薄片材料。

6.一种用于电光调制器温度漂移抑制的晶体散热结构制作方法，包括以下步骤：

S1、在硅基热沉上生长碳纳米管阵列；

S2、将生长有碳纳米管阵列的硅基热沉切割为适合尺寸；

S3、并在碳纳米管阵列四周均匀涂覆导热导电密封银胶；

S4、将碳纳米管阵列对准铌酸锂晶体底面压紧，使碳纳米管阵列与铌酸锂晶体底面紧密接触，并冷却固化导热导电密封银胶使生长有碳纳米管阵列的硅基热沉与铌酸锂晶体固定粘合连接；

S5、将切割为对应尺寸的透明多层石墨烯薄膜通过导电胶分别粘合固定于铌酸锂晶体的两个Z端面，同时将两个Z端面的石墨烯薄膜与碳纳米管阵列四周涂覆的导热导电密封银胶通过透明导电胶电气连接，使两个Z端面的石墨烯薄膜之间形成电气连接。

7.如权利要求6所述的方法，其特征在于，所述步骤S1包括以下分步骤：

S11、在硅基热沉表面镀制1纳米厚铁薄膜并置入预热至400℃的石英管内，在氩气、氢气混合气体环境下以60℃每分钟的速率升温至750℃并保持不变，使硅基热沉表面形成具有催化活性的铁纳米颗粒；所述氩气、氢气混合气体环境为氩气体积分数70％、氢气体积分数30％的气体环境；

S12、保持750℃温度不变，向石英管内通入乙烯直至乙烯在石英管内的气体体积分数为10％并通过继续调节乙烯通入量使石英管内的乙烯气体体积分数在反应过程中始终为10％，保持15分钟，在硅基热沉表面得到高度为0.3毫米的碳纳米管阵列。

8.如权利要求6所述的方法，其特征在于，所述硅基热沉切割的适合尺寸为对应典型铌酸锂晶体底面尺寸的50毫米长、6毫米宽的矩形形状。

9.如权利要求6所述的方法，其特征在于，所述石墨烯薄膜切割的对应尺寸为对应典型铌酸锂晶体Z端面尺寸的1毫米高、6毫米宽的矩形形状。

10.如权利要求6所述的方法，其特征在于，所述硅基热沉采用碱法湿法刻蚀技术制备。