[发明专利]一种具有MoC合金的肖特基势垒二极管在审
| 申请号： | 201910955104.0 | 申请日： | 2019-10-09 |
| 公开（公告）号： | CN110729361A | 公开（公告）日： | 2020-01-24 |
| 发明（设计）人： | 王颖;杨朝阳;曹菲 | 申请（专利权）人： | 杭州电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L29/47 |
| 代理公司： | 11335 北京汇信合知识产权代理有限公司 | 代理人： | 张焕响 |
| 地址： | 310018 浙江省杭州市*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 衬底 肖特基势垒二极管 合金 肖特基金属层 欧姆接触层 肖特基势垒 高温退火 背面 | ||
【权利要求书】：
1.一种具有MoC合金的肖特基势垒二极管，其特征在于：包括N型4H-SiC衬底(2)，所述N型4H-SiC衬底(2)的正面由下到上依次设有SiO2钝化层(3)、肖特基金属层(4)，所述N型4H-SiC衬底(2)的背面上设有欧姆接触层(1)，所述肖特基金属层(4)为MoC合金，其中C在MoC合金中的质量百分含量为20～40％。
2.根据权利要求1所述的具有MoC合金的肖特基势垒二极管，其特征在于：所述肖特基金属层(4)中的MoC合金膜厚度的范围为60-80nm。
3.根据权利要求1所述的具有MoC合金的肖特基势垒二极管，其特征在于：所述肖特基金属层(4)的表面上沉积有TiN层(5)。
4.根据权利要求3所述的具有MoC合金的肖特基势垒二极管，其特征在于：所述TiN层(5)的厚度为50nm。
5.根据权利要求1所述的具有MoC合金的肖特基势垒二极管，其特征在于：所述肖特基金属层(4)的形成方法为，在真空条件下以射频溅射的方式进行，靶材为C的质量百分比为20～40％的MoC合金，合金沉积过程充氮气保护，形成肖特基金属层(4)。
6.根据权利要求1所述的具有MoC合金的肖特基势垒二极管，其特征在于：所述SiO2钝化层(3)的厚度为250nm。
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