[发明专利]薄膜晶体管阵列基板和包括其的数字X射线检测器在审
| 申请号: | 201910952830.7 | 申请日: | 2019-10-09 |
| 公开(公告)号: | CN111081715A | 公开(公告)日: | 2020-04-28 |
| 发明(设计)人: | 李汉锡;田惠知;张允琼 | 申请(专利权)人: | 乐金显示有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L27/146 |
| 代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 刘久亮;黄纶伟 |
| 地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 薄膜晶体管 阵列 包括 数字 射线 检测器 | ||
薄膜晶体管阵列基板和包括其的数字X射线检测器。公开了通过增大填充因子来改进感光性,PIN二极管的稳定性提高并且使寄生电容的产生减少或最小化的用于高分辨率数字X射线检测器的薄膜晶体管阵列基板和包括该薄膜晶体管阵列基板的高分辨率数字X射线检测器。在一个实施方式中,PIN二极管最大程度地延伸,使得薄膜晶体管的电极和接触孔设置在PIN二极管内部。在电极或布线之间存在有机材料的平整层。另外,通过将偏置线设置成与数据线或选通线交叠而不与PIN二极管交叠来使PIN二极管的光接收区域增大或最大化。
技术领域
本公开涉及用于高分辨率数字X射线检测器的薄膜晶体管阵列基板和包括其的高分辨率数字X射线检测器。
背景技术
因为X射线是短波长的,所以X射线可以容易地透过物体。X射线的透射率取决于物体的内部密度。因此,可以通过检测透过物体的X射线的透射率来观察物体的内部结构。
在医疗领域中使用的基于X射线的检查方法之一是胶片打印方案。然而,在胶片打印方案中,为了检查结果,拍摄图像,然后打印胶片。因此,检查结果花费的时间长。尤其是,在胶片打印方案中,保存和存放打印好的胶片存在许多困难。
近来,已开发出使用薄膜晶体管的数字X射线检测器(DXD)并且DXD被广泛用于医疗领域。
数字X射线检测器检测透过物体的X射线的透射率,并且基于透射率将物体内部状态显示在显示器上。
因此,数字X射线检测器能在不使用单独的胶片和打印纸的情况下显示物体的内部结构。另外,DXD的优点在于,能在X射线拍摄之后立即实时地检查结果。
随着近年来对高分辨率数字X射线检测器的需求的增加,需要开发高分辨率数字X射线检测器。
发明内容
本公开提供了可以通过增大填充因子改进感光性的用于高分辨率数字X射线检测器的薄膜晶体管阵列基板并提供了包括该薄膜晶体管阵列基板的高分辨率数字X射线检测器。
另外,本公开提供了可以使相邻PIN二极管之间可能出现的干扰减少或最小化的用于高分辨率数字X射线检测器的薄膜晶体管阵列基板,并且提供了包括该薄膜晶体管阵列基板的高分辨率数字X射线检测器。
另外,本公开提供了可以提高PIN二极管的稳定性的用于高分辨率数字X射线检测器的薄膜晶体管阵列基板,并且提供了包括该薄膜晶体管阵列基板的高分辨率数字X射线检测器。
另外,本公开提供了可以使寄生电容减小或最小化的用于高分辨率数字X射线检测器的薄膜晶体管阵列基板,并且提供了包括该薄膜晶体管阵列基板的高分辨率数字X射线检测器。
此外,本公开提供了可以使PIN二极管的光接收区域增大或最大化的用于高分辨率数字X射线检测器的薄膜晶体管阵列基板,并且提供了包括该薄膜晶体管阵列基板的高分辨率数字X射线检测器。
本公开不限于以上提到的益处。可以从以下描述中理解并且从本公开的实施方式更清楚地理解以上未提到的本公开的其它优点。另外,将容易理解,可以通过权利要求书中公开的特征及其组合来实现本公开的优点。
在本公开的一方面,提出了一种用于数字X射线检测器的薄膜晶体管阵列基板,该薄膜晶体管阵列基板包括:薄膜晶体管,该薄膜晶体管包括有源层、栅极、连接到所述有源层的第一电极和第二电极;第一平整层,该第一平整层在所述薄膜晶体管上;以及PIN二极管,该PIN二极管在所述第一平整层上,所述PIN二极管包括连接到所述薄膜晶体管的第三电极、PIN层以及在所述PIN层上的第四电极,其中,所述第二电极设置在所述PIN二极管内部。另外,在本公开的一方面,提出了一种包括薄膜晶体管阵列基板的数字X射线检测器。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





