[发明专利]一种增加GaN Micro-LED颜色转换效率的方法

权利要求书

1.一种增加GaN Micro-LED颜色转换效率的方法，其特征在于：在P型GaN表面刻孔至有源区，使用Ag纳米颗粒和发光量子点进行填充；

该方法包括以下步骤：

(1)选取GaN外延裸片，其结构包括蓝宝石衬底、N型GaN层、有源层、P型GaN层；

(2)表面生长70nm氧化铟锡(ITO)做透明导电层；

(3)生长300nm氧化硅做为硬掩膜，在表层做纳米压印图案，图案为间距1μm的纳米小孔；

(4)利用离子耦合刻蚀(ICP)将小孔刻蚀至P型GaN表面；

(5)利用ICP将图案化小孔刻蚀至GaN有源区；放入BOE腐蚀液中去除氧化硅掩膜层以及纳米压印图层；

(6)光刻胶填充小孔区域，生长金属Ni作为硬掩膜掩膜住孔洞区域，其余部分刻蚀至N型GaN区域形成发光台面；

(7)去除光刻胶，生长氧化铪作为绝缘层，以方便将p电极引出；

(8)光刻出电极图形，完成溅射n、p钛/金电极，使用lift-off工艺得到剥离后电极。

2.根据权利要求1所述的一种增加GaN Micro-LED颜色转换效率的方法，其特征在于，还包括，采用匀胶、前烘、曝光、显影、坚膜的光刻方法，在整个外延片上做光刻胶掩膜；采用蒸镀或溅射的方法制作金属P电极、N电极，金属层为Ti/Au，采用lift-off工艺将电极位置之外的金属剥离掉，形成金属P、N电极。

3.根据权利要求2所述的一种增加GaN Micro-LED颜色转换效率的方法，其特征在于，还包括，采用匀胶的方法将发光量子点及Ag量子点填充到孔洞当中。

4.根据权利要求1所述的一种增加GaN Micro-LED颜色转换效率的方法，其特征在于，步骤2中所述氧化铟锡透明导电层厚度为70nm。

5.根据权利要求1所述的一种增加GaN Micro-LED颜色转换效率的方法，其特征在于，步骤3中所述纳米孔间隔为1μm，纳米孔直径为1μm；氧化硅掩膜层厚度为300nm。

6.根据权利要求1所述的一种增加GaN Micro-LED颜色转换效率的方法，其特征在于，步骤4中所述刻蚀纳米孔的深度为1.15-1.25μm。

7.根据权利要求1所述的一种增加GaN Micro-LED颜色转换效率的方法，其特征在于，步骤6中所述Ni厚度为150nm，刻蚀台面高度为1.15-1.25μm。

8.根据权利要求1所述的一种增加GaN Micro-LED颜色转换效率的方法，其特征在于，步骤7中所述氧化铪绝缘层厚度为15nm。

9.根据权利要求1所述的一种增加GaN Micro-LED颜色转换效率的方法，其特征在于，步骤8中所述电极厚度为10/150nm。