[发明专利]切断移动的光纤

说明书

本发明公开一种切断移动的光纤。这个光纤100包括一个芯102从中央纵轴延伸112到第一半径r1.并且光纤100包括第一沟槽区域106从第二半径r2延伸到第三半径3，也包括第二沟槽区域108从第三半径r3延伸到第四半径半径r4，还包括一个包层区域110从第四半径r4延伸到第五半径r5。

技术领域

本发明涉及有关光纤领域。特别地,是目前的披露有关切断换档的光纤用高模场直径切断的切断移动的光纤。

背景技术

背景科学和技术的进步,各种现代技术正在受雇用于通信目的.最重要的现代通信技术是使用各种光纤的光纤通信技术.光纤用传输信息作为光脉冲从一端到另一端.电信业一直努力为了实现设计高光信噪比和低损耗。正在进行的研究建议,G.654.E类别的光纤是G.654.B的改进版本和G.652.D的替代品面临400G传输的挑战在长途的沟通中由于非线性效应。此外,重大的挑战在400G15长途通讯由于非线性效应影响.此外,重大的挑战在400G15长途通讯由于非线性效应影,低光信对噪音比和低损失.正在进行的研究建议,G.654.E类别的光纤是G.654.B的改进版本和G.652.D的替代品面临400G传输的挑战在长途的沟通中由于非线性效应。此外,重大的挑战在400G长途通讯由于非线性效应影响.此外,重大的挑战在400G长途通讯由于非线性效应影响,低光信对噪音比和低损失.

鉴于上面声明讨论,需要一种光纤那克服了上面的缺点.

发明内容

本公开的主要目的是提供光纤同大模场直径。

本公开的又一个目的是提供低损失光纤。

在一个方面，本公开提供了一种切断移动的光纤。光纤包括芯。另外，光纤包括第一个沟槽区域。此外，光纤包括第二个沟槽区域。此外，光纤是包层区域。芯具有第一个相对折射率Δ1。芯的第一个相对折射率Δ1在大概0到0.12的范围内。另外，第一个沟槽区域由相对折射率Δ3限定。第一个沟槽区域具有第一阿尔法α沟槽1。第二个沟槽区域与第一个沟槽区域相邻。第二个沟槽区域具有相对折射率Δ4。而且，第二个沟槽区域具有第二个阿尔法α沟槽2。包层区域围绕第二个沟槽区域。光纤100在1550纳米下具有小于或等于0.17dB/km的衰减。光纤的模场直径在大概12微米至13微米的范围内。光纤在折射率分布的芯和沟槽区域中有了逐渐变化。

在本公开的一个实施例中,光纤有高达0.1分贝/100匝的宏观弯曲损对应于在约30毫米的弯曲半径处的1550纳米的波长和对应于每100匝的0.1分贝的宏观弯曲损耗。在弯曲半径约为30毫米时，波长为1625纳米。

在本公开的一个实施例中,光纤有色散在范围内17皮秒每纳米公里到23皮秒左右在1550纳米的波长.在本公开的一个实施例中,光纤还包含一个缓冲包层区域.缓冲包层区域是被定义为第二个相对折射率Δ2另外,缓冲包层区域分开核心和第一个沟槽区域。

在本公开的一个实施例中,光纤还包含一个缓冲包层区域.缓冲包层区域是被定义为第二个相对折射率Δ2.另外,缓冲包层区域分开核心和第一个沟槽区域。

在本公开的实施例中,核心有了第一个半径r1.第一个半径r1是在范围中2.5微米到5微米5和2微米到3.15微米。

在本公开的实施例中,光纤还包含一个缓冲包层区域.缓冲包层区域第二个半径r2.第二个半径r2是在范围中之一5微米到7微米和3微米到6微米.缓冲包层区域有了大概0的第二个相对折射率Δ2。

在本公开的实施例中,包层区域有了第五个半径r5.第五个半径r5是大概62.5微米.包层区域有了约为0的第三相对折射率Δ5。