[发明专利]一种静电释放电路、阵列基板、显示面板及显示装置

权利要求书

1.一种静电释放电路，其特征在于，包括：

第一晶体管、第二晶体管、第一开关单元和第二开关单元；

所述第一晶体管的第一端与第一电平线电连接；所述第一晶体管的第二端与信号线电连接；所述第一晶体管的控制端与所述第一开关单元的第一端电连接；所述第一开关单元的第二端与所述第一电平线电连接；所述第一开关单元的控制端与所述信号线电连接；所述第一开关单元导通时，所述第一晶体管将所述信号线上积累的电荷释放到所述第一电平线；

所述第二晶体管的第一端与所述信号线电连接；所述第二晶体管的第二端与第二电平线电连接；所述第二晶体管的控制端与所述第二开关单元的第一端电连接；所述第二开关单元的第二端与所述信号线电连接；所述第二开关单元的控制端与所述第二电平线电连接；所述第二开关单元导通时，所述第二晶体管将所述信号线上积累的电荷释放到所述第二电平线；

在所述信号线上未积累静电时，所述第一开关单元和所述第二开关单元均处于关闭状态。

2.根据权利要求1所述的静电释放电路，其特征在于，所述第一晶体管以及所述第二晶体管均为P型晶体管；

所述第一开关单元包括至少一个N型晶体管，所述第二开关单元包括至少一个N型晶体管。

3.根据权利要求2所述的静电释放电路，其特征在于，所述第一开关单元中的多个N型晶体管串联或并联设置。

4.根据权利要求2所述的静电释放电路，其特征在于，所述第二开关单元中的多个N型晶体管串联或并联设置。

5.根据权利要求2所述的静电释放电路，其特征在于，所述第一晶体管、所述第二晶体管、所述第一开关单元以及所述第二开关单元中的晶体管有源层的半导体基材相同。

6.根据权利要求5所述的静电释放电路，其特征在于，所述第一晶体管、所述第二晶体管、所述第一开关单元以及所述第二开关单元中的晶体管有源层的所述半导体基材均为低温多晶硅或者金属氧化物半导体。

7.根据权利要求2所述的静电释放电路，其特征在于，所述第一晶体管以及所述第二晶体管的有源层为低温多晶硅，所述第一开关单元以及所述第二开关单元中的晶体管有源层的半导体基材为金属氧化物半导体；或者，

所述第一晶体管以及所述第二晶体管的有源层为金属氧化物半导体，所述第一开关单元以及所述第二开关单元中的晶体管有源层的所述半导体基材为低温多晶硅。

8.根据权利要求1所述的静电释放电路，其特征在于，所述信号线包括显示面板的数据信号线或扫描信号线。

9.一种阵列基板，其特征在于，包括如权利要求1-8中任一项所述的静电释放电路。

10.根据权利要求9所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括衬底以及设置于衬底一侧层叠设置的第一半导体层和第一金属层；

所述第一半导体层包括所述第一晶体管以及所述第二晶体管的有源层；

所述第一金属层包括所述第一晶体管以及所述第二晶体管的栅极。

11.根据权利要求10所述的阵列基板，其特征在于，所述第一半导体层还包括所述第一开关单元以及所述第二开关单元的晶体管有源层；

所述第一金属层包括所述第一开关单元以及所述第二开关单元的栅极。

12.根据权利要求11所述的阵列基板，其特征在于，所述第一半导体层包括一种半导体基材；

所述第一晶体管、所述第二晶体管、所述第一开关单元以及所述第二开关单元中的晶体管有源层均为低温多晶硅或者金属氧化物半导体。