[发明专利]一种纳米晶复合材料的制备方法及其电子元件

权利要求书

1.一种纳米晶复合材料的制备方法，其特征在于，所述的制备方法包括有如下的步骤：

(1)将总重量为100份的纳米晶软磁粉和晶态软磁粉的混合物倒入50重量份的钝化液1中搅拌至粘稠状，再倒入50重量份的钝化液2，再次搅拌至粘稠状，然后在70℃下烘干后过300目及以上筛网，得到钝化的混合磁粉；

所述的钝化液1为0.1～0.5wt.％的磷酸溶液；

所述的钝化液2为0.1～1.0wt.％的钼酸钠溶液和0.5～2.5wt.％的碳酸钙溶液混合物；

所述的混合物中纳米晶软磁粉占混合物总重量份的10～80％；

(2)向步骤(1)中的混合磁粉中加入0.5～5.5重量份的环氧类树脂、0.05～0.55重量份的酸酐类固化剂、0.005～0.03重量份的咪唑类促进剂，0.3～1.2重量份偶联剂，于10wt.％的酒精溶液中高能球磨复合处理；

(3)对步骤(3)中的混合物进行烘干造粒：在70℃环境下烘2～10min至半干，然后过80目或100目筛网，过完筛的磁粉在70℃下烘5～60min至干燥即得到纳米晶复合材料。

2.如权利要求1所述的一种纳米晶复合材料的制备方法，其特征在于，所述的晶态软磁粉为晶态FeSi系软磁粉、晶态FeNi系软磁粉和/或晶态铁粉。

3.如权利要求1所述的一种纳米晶复合材料的制备方法，其特征在于，步骤(2)中高能球磨复合处理的球料比10～15：1，转速50～100r/min。

4.一种电感类电子元器件，其特征在于，所述的电子元器件采用如权利要求1-3任一权利要求所述的一种纳米晶复合材料的制备方法制备的纳米晶复合材料制成。

5.如权利要求4所述的一种电感类电子元器件制备方法，其特征在于，所述的制备方法为：取所述的纳米晶复合材料及线圈填入模穴中，然后用压机压制成型。

6.如权利要求5所述的一种电感类电子元器件制备方法，其特征在于，压机压制的保压时间为0.03～210S，压强50～500MPa。