[发明专利]一种P5000机台沟槽刻蚀腔体清洁方法在审
申请号: | 201910923057.1 | 申请日: | 2019-09-27 |
公开(公告)号: | CN110610845A | 公开(公告)日: | 2019-12-24 |
发明(设计)人: | 朱光源;王都浩;王毅 | 申请(专利权)人: | 扬州扬杰电子科技股份有限公司 |
主分类号: | H01J37/32 | 分类号: | H01J37/32 |
代理公司: | 32283 扬州市苏为知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人: | 郭翔 |
地址: | 225008 江苏省扬*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 机台 沟槽刻蚀 聚合物 腔体 聚合物累积 产品品质 工作腔 清洁 半导体加工工艺 设备维护成本 清洁度 消耗 清洁周期 清洁状态 混合气 洁净度 易挥发 有效地 刻蚀 内壁 清腔 去除 体内 | ||
1.一种P5000机台沟槽刻蚀腔体清洁方法,其特征在于,包括以下步骤:
1)将挡片安装于沟槽刻蚀腔体的刻蚀工位上;
2)沟槽刻蚀腔体密闭,将沟槽刻蚀腔体内压力保持在20mt;
3)沟槽刻蚀腔体通入流量为30sccm的NF3,刻蚀工位启动;
4)步骤3)持续15s后,将沟槽刻蚀腔体的压力调升为55mt;
5)通入流量为50sccm的NF3和流量为15sccm的混合气体,提高刻蚀工位的电机功率;
6)步骤5)持续45s后,NF3和混合气体分别停止供气,将沟槽刻蚀腔体的压力调升为150mt;并通入流量为80sccm的惰性气体;
7)步骤6)持续10S后,停止通气,蝶阀全开抽腔10s,完成清洁。
2.根据权利要求1所述的一种P5000机台沟槽刻蚀腔体清洁方法,其特征在于,所述步骤3)刻蚀工位的电机功率为400W。
3.根据权利要求1所述的一种P5000机台沟槽刻蚀腔体清洁方法,其特征在于,所述步骤5)中混合气体为He和O2。
4.根据权利要求3所述的一种P5000机台沟槽刻蚀腔体清洁方法,其特征在于,所述He和O2的占比分别为80%和20%。
5.根据权利要求1所述的一种P5000机台沟槽刻蚀腔体清洁方法,其特征在于,所述步骤5)中刻蚀工位的电机功率提升至600W。
6.根据权利要求1所述的一种P5000机台沟槽刻蚀腔体清洁方法,其特征在于,步骤6)中所述惰性气体为氩气、氦气或氧气。
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