[发明专利]一种P5000机台沟槽刻蚀腔体清洁方法在审

专利信息
申请号: 201910923057.1 申请日: 2019-09-27
公开(公告)号: CN110610845A 公开(公告)日: 2019-12-24
发明(设计)人: 朱光源;王都浩;王毅 申请(专利权)人: 扬州扬杰电子科技股份有限公司
主分类号: H01J37/32 分类号: H01J37/32
代理公司: 32283 扬州市苏为知识产权代理事务所(普通合伙) 代理人: 郭翔
地址: 225008 江苏省扬*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 机台 沟槽刻蚀 聚合物 腔体 聚合物累积 产品品质 工作腔 清洁 半导体加工工艺 设备维护成本 清洁度 消耗 清洁周期 清洁状态 混合气 洁净度 易挥发 有效地 刻蚀 内壁 清腔 去除 体内
【权利要求书】:

1.一种P5000机台沟槽刻蚀腔体清洁方法,其特征在于,包括以下步骤:

1)将挡片安装于沟槽刻蚀腔体的刻蚀工位上;

2)沟槽刻蚀腔体密闭,将沟槽刻蚀腔体内压力保持在20mt;

3)沟槽刻蚀腔体通入流量为30sccm的NF3,刻蚀工位启动;

4)步骤3)持续15s后,将沟槽刻蚀腔体的压力调升为55mt;

5)通入流量为50sccm的NF3和流量为15sccm的混合气体,提高刻蚀工位的电机功率;

6)步骤5)持续45s后,NF3和混合气体分别停止供气,将沟槽刻蚀腔体的压力调升为150mt;并通入流量为80sccm的惰性气体;

7)步骤6)持续10S后,停止通气,蝶阀全开抽腔10s,完成清洁。

2.根据权利要求1所述的一种P5000机台沟槽刻蚀腔体清洁方法,其特征在于,所述步骤3)刻蚀工位的电机功率为400W。

3.根据权利要求1所述的一种P5000机台沟槽刻蚀腔体清洁方法,其特征在于,所述步骤5)中混合气体为He和O2

4.根据权利要求3所述的一种P5000机台沟槽刻蚀腔体清洁方法,其特征在于,所述He和O2的占比分别为80%和20%。

5.根据权利要求1所述的一种P5000机台沟槽刻蚀腔体清洁方法,其特征在于,所述步骤5)中刻蚀工位的电机功率提升至600W。

6.根据权利要求1所述的一种P5000机台沟槽刻蚀腔体清洁方法,其特征在于,步骤6)中所述惰性气体为氩气、氦气或氧气。

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