[发明专利]正面局域钝化接触的晶硅太阳电池及其制备方法

权利要求书

1.一种正面局域钝化接触的晶硅太阳电池，包括正面电极、正面钝化层、N型硅掺杂层、P型硅基体、背面钝化层及背面电极，所述背面钝化层形成于所述P型硅基体背面，所述背面电极形成于所述背面钝化层上且局部穿过所述背面钝化层而和所述P型硅基体形成欧姆接触，所述N型硅掺杂层形成于所述P型硅基体的正面，其特征在于：所述N型硅掺杂层上形成有图形化的氧化硅薄层，所述氧化硅薄层上覆盖形成有N⁺型多晶硅层，所述正面钝化层层叠形成在所述N⁺型多晶硅层及所述N型硅掺杂层的其他区域上，所述正面电极透过所述正面钝化层并形成在所述N⁺型多晶硅层的上表面上，以和所述N⁺型多晶硅层形成欧姆接触；所述N型硅掺杂层具有平面区 域和绒面区域，所述氧化硅薄层形成在所述N型硅掺杂层接触的平面区域上，所述N型硅掺杂层的绒面区域上覆盖有所述正面钝化层。

2.根据权利要求1所述的晶硅太阳电池，其特征在于：所述P型硅基体的正面局部制绒形成绒面，所述N型硅 掺杂层层叠于所述P型硅基体的正面上而具有所述平面区域和所述绒面区域。

3.根据权利要求1所述的晶硅太阳电池，其特征在于：所述N型硅掺杂层和所述N⁺型多晶硅层中均掺杂有磷元素，所述N型硅掺杂层中磷元素的掺杂浓度小于所述N⁺型多晶硅层中磷元素的掺杂浓度。

4.根据权利要求1所述的晶硅太阳电池，其特征在于：所述N⁺型多晶硅层的厚度为10~200nm，所述氧化硅薄层的厚度为0.1~2nm。

5.根据权利要求1所述的晶硅太阳电池，其特征在于：所述背面钝化层上开设有槽，所述P型硅基体具有对应所述槽处的P⁺型硅部位，所述背面电极的局部穿过所述槽并和所述P⁺型硅部位形成欧姆接触。

6.一种如权利要求1-5中任一项所述的晶硅太阳电池的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

A、对P型硅片表面进行抛光；

B、在硅片正面沉积图形化的第一掩膜；

C、对硅片进行制绒，然后去除第一掩膜；

D、对硅片的正面进行磷掺杂，形成N型硅掺杂层；

E、在N型硅掺杂层上生长氧化硅薄层，在氧化硅薄层上形成N⁺型多晶硅层；

F、在N⁺型多晶硅层上沉积图形化的第二掩膜，所述第二掩膜的图形与所述第一掩膜的图形相同或相似；

G、去除第二掩膜区域以外的N⁺型多晶硅层；

H、去除氧化硅薄层和第二掩膜；

I、硅片背面沉积背面钝化膜，正面沉积正面钝化膜；

J、硅片背面开槽，露出P型硅基体；

K、硅片背面和正面分别印刷浆料，烧结。

7.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于：所述步骤E中，通过热氧化或湿化学氧化形成所述氧化硅薄层，厚度为0.1~2nm。

8.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于：所述步骤E中，在所述氧化硅薄层上原位掺杂形成所述N⁺型多晶硅层；或，先在所述氧化硅薄层上形成多晶硅层，再通过扩散或离子注入进行掺杂形成所述N⁺型多晶硅层。

9.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于：所述第一掩膜和所述第二掩膜为氮化硅；所述步骤C中，采用氢氟酸去除所述第一掩膜；所述步骤G中，采用碱溶液刻蚀除第二掩膜区域以外的所述N⁺型多晶硅层，采用硝酸和氢氟酸的混合溶液对硅片的边缘进行刻蚀，对硅片的背面进行抛光；所述步骤H中，采用氢氟酸去除所述氧化硅薄层和所述第二掩膜。