[发明专利]一种多晶硅铸锭炉

说明书

本发明公开了一种多晶硅铸锭炉，包括：用于承载铸锭硅料的坩埚；用于支撑坩埚的DS块；可拆卸地设于DS块背离坩埚底部的表面，用于调节坩埚底部热场分布的保温块和散热块；其中，保温块和散热块在所述DS块表面分布位置可调。本申请中在铸锭炉内部，用于支撑坩埚的DS块上设置保温块和散热块，既能够对散热过快的位置保温，又能够对散热过慢的位置加快散热；相对于现有技术中仅仅通过隔热层调节热场温度，本申请中同时采用散热块和保温块进行温度调节，具有更好的调节效果；另外，本申请中保温块和散热块采用可拆卸的方式连接，以便基于铸锭工艺的不同需要，改变保温块和散热块的布局，提高对铸锭炉热场的调节能力。

技术领域

本发明涉及多晶铸锭技术领域，特别是涉及一种多晶硅铸锭炉。

背景技术

多晶硅铸锭工艺是获得纯净硅料的主要工艺方法之一，所获得的硅料可用于光伏电池的制作以及其他半导体器件的生产制造。在多晶硅铸锭过程中，温度是影响硅锭生长的重要因素之一。目前在各种多晶硅铸锭工艺中，为了保证铸锭炉中温度符合硅锭的生长要求，会根据铸锭炉的加热器分布位置，以及铸锭炉本身结构对散热的影响，在铸锭炉上设置隔热层。但是，在多晶硅铸锭过程中，不同类型的晶硅产品需匹配不同的工艺，对铸锭炉内热场分布的要求也不相同，因此，现有技术中设置铸锭炉上的隔热层的方式，难以满足目前的铸锭工艺的需求。

发明内容

本发明的目的是提供一种多晶硅铸锭炉，解决了现有技术中对铸锭炉内的热场调节性能差的问题，提高了对热场调节的性能。

为解决上述技术问题，本发明提供一种多晶硅铸锭炉，包括：

用于承载铸锭硅料的坩埚；

用于支撑坩埚的DS块；

可拆卸地设于所述DS块背离所述坩埚底部的表面，用于调节所述坩埚底部热场分布的保温块和散热块；

其中，所述保温块和所述散热块在所述DS块表面分布位置可调。

其中，所述散热块为石墨块。

其中，所述散热块长为5cm～30cm，宽为5cm～30cm，厚度为1.5cm～6cm；且设置在所述DS块上的多个散热块的厚度不完全相同。

其中，所述散热块背离所述DS块的表面分布有多条相互交错的凹槽，所述凹槽的宽度为4mm～20mm，深度为5mm～40mm。

其中，所述保温块包括碳纤维板和设于两个所述碳纤维板之间的碳纤维毡。

其中，所述保温块长为5cm～30cm，宽为5cm～30cm，厚度为3cm～20cm；且设置在所述DS块上的多个保温块的厚度不完全相同。

其中，所述DS块上设置有螺栓孔阵列；所述保温块和所述散热块上设置和所述螺栓孔阵列中的螺栓孔相配合的螺孔。

其中，所述DS块为石墨块，长和宽均为1m～1.5m，厚度为5cm～20cm，所述螺栓孔的孔深2cm～5cm，直径6mm～14mm。

其中，所述保温块沿所述DS块边缘区域环形设置，所述散热块设于所述DS块中心区域。

其中，所述保温块设于所述DS块三个顶点区域，所述散热块设于所述DS块未设置所述保温块的顶点区域。

本发明所提供的多晶硅铸锭炉，包括：用于承载铸锭硅料的坩埚；用于支撑坩埚的DS块；可拆卸地设于DS块背离坩埚底部的表面，用于调节坩埚底部热场分布的保温块和散热块；其中，保温块和散热块在所述DS块表面分布位置可调。