[发明专利]一种硅单晶的生长方法在审
| 申请号： | 201910899811.2 | 申请日： | 2019-09-23 |
| 公开（公告）号： | CN110629283A | 公开（公告）日： | 2019-12-31 |
| 发明（设计）人： | 王刚;沈伟民;黄瀚艺;陈伟德 | 申请（专利权）人： | 上海新昇半导体科技有限公司;中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | C30B15/20 | 分类号： | C30B15/20;C30B29/06 |
| 代理公司： | 11336 北京市磐华律师事务所 | 代理人： | 李晴 |
| 地址： | 201306 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 硅单晶 拉速 生长 硅单晶生长 周期性变化 工艺窗口 原生缺陷 提拉 | ||
【权利要求书】：
1.一种硅单晶的生长方法，其特征在于，所述生长方法包括：
确定设定拉速，所述设定拉速在理想拉速上下呈周期性变化；
将晶体温度控制在1200℃以上，按照所述设定拉速进行提拉，以生长硅单晶。
2.根据权利要求1所述的生长方法，其特征在于，所述设定拉速在所述理想拉速上下交替进行匀速上升、匀速下降的变化。
3.根据权利要求2所述的生长方法，其特征在于，所述设定拉速的斜率为1E-7mm/min2至1E-4mm/min2。
4.根据权利要求1所述的生长方法，其特征在于，所述理想拉速为0.4mm/min至0.7mm/min。
5.根据权利要求1所述的生长方法，其特征在于，所述设定拉速的变化范围为所述理想拉速的98％-102％。
6.根据权利要求1所述的生长方法，其特征在于，所述生长方法的工艺窗口为所述理想拉速的4％-5％。
7.根据权利要求1所述的生长方法，其特征在于，所述生长方法依次包括引晶阶段、放肩阶段、转肩阶段、等径阶段及收尾阶段，所述设定拉速为所述等径阶段的设定拉速。
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