[发明专利]抗龟裂ITO导电玻璃的制作方法

说明书

本发明公开一种抗龟裂ITO导电玻璃的制作方法，包括步骤：S1，提供玻璃基板，使用乙醇和/或丙酮中的至少一种作为溶质，以及去离子水作为溶质的载体，以超声波对玻璃基板进行清洗，辅以N₂气体吹干备用；S2，将玻璃基板置于射频磁控溅射镀膜设备的真空溅射腔室中，压强为9.0x10^‑4‑3.5x10^‑4Pa，然后注入氧气和氩气，其中氩气流量占比大于99％，镀膜时玻璃基板的温度为300‑450℃，溅射气压为0.3‑1Pa，镀膜功率为100‑175W，阻挡层包括NbOx层、SiNx层以及SiO₂层，在玻璃基板的一面依次镀上NbOx层、SiNx层以及SiO₂层；S3，在所述阻挡层表面镀上氧化铟锡。本发明的有益效果是：有效阻挡玻璃基板中的金属离子迁移到ITO层，防止ITO层发生翘曲形成龟裂，从而提升液晶屏使用寿命。

技术领域

本发明涉及ITO导电玻璃领域，尤其涉及一种抗龟裂ITO导电玻璃的制作方法。

背景技术

ITO导电玻璃是在钠钙基或硅硼基基片玻璃的基础上，镀上一层二氧化硅作为阻挡层，再镀上一层氧化铟锡膜(俗称ITO膜，又称透明电极)。

现有技术的二氧化硅层的镀膜方式一般使用中频镀膜，所生产的ITO导电玻璃基本能够在85℃的高温下保持500小时不出现故障，但是随着时间的推移，玻璃基板的金属离子慢慢迁移到氧化铟锡层，从而导致ITO层发生翘曲形成龟裂，所以这种ITO导电玻璃超过500小时后就容易出现龟裂，特别是低欧姆ITO导电玻璃，连续工作时间更短，工作300时显示画面将出现异常，多条裂纹相连，最终横向断裂。如图1所示，采用中频镀膜工艺所形成的阻挡层颗粒较小、间隙较多、排列不平整、亮度不一，不能有效阻止玻璃基板中的金属离子迁移到ITO层，而阻挡层本身的设置亦会影响面板本身的稳定性。

发明内容

针对上述问题，本发明提出一种抗龟裂ITO导电玻璃，主要解决现有ITO导电玻璃的ITO层在高温环境长时间工作容易龟裂的问题。

本发明提出一种抗龟裂ITO导电玻璃的制作方法，其特征在于，包括步骤：

S1，清洗玻璃基板：提供玻璃基板，使用乙醇和/或丙酮中的至少一种作为溶质，以及去离子水作为所述溶质的载体，以超声波对所述玻璃基板进行清洗，辅以N₂气体吹干备用；

S2，镀阻挡层：将玻璃基板置于射频磁控溅射镀膜设备的真空溅射腔室中，压强为9.0x10^-4-3.5x10^-4Pa，然后注入氧气和氩气，其中氩气流量占比大于99％，镀膜时玻璃基板的温度为300-450℃，溅射气压为0.3-1Pa，镀膜功率为100-175W，阻挡层包括NbOx层、SiNx层以及SiO₂层，使用射频磁控溅射镀膜设备在玻璃基板的一面依次镀上NbOx层、SiNx层以及SiO₂层，形成所述的阻挡层；

S3，镀ITO层：使用射频磁控溅射镀膜设备在所述阻挡层表面镀上氧化铟锡，形成所述的ITO层。

作为上述方案的改进，所述S2中NbOx层的厚度为10nm-25nm，SiNx层的厚度为10nm-20nm，以及SiO₂层的厚度为30nm-60nm。

作为上述方案的改进，所述S2中NbOx层的厚度为15nm，SiNx层的厚度为20nm，以及SiO₂层的厚度为50nm。

作为上述方案的改进，所述玻璃基板完成S1后进行除碱金属离子的步骤S11，所述S11包括：先将玻璃基板的温度加热至600-700℃，然后降至常温，以酸性清洁液清洗玻璃基板，最后再进行一次所述S1的步骤。

作为上述方案的改进，将所述S11中的玻璃基板的温度加热至650℃。