[发明专利]抗龟裂ITO导电玻璃的制作方法

权利要求书

1.一种抗龟裂ITO导电玻璃的制作方法，其特征在于，包括步骤：

S1，清洗玻璃基板：提供玻璃基板，使用乙醇和/或丙酮中的至少一种作为溶质，以及去离子水作为所述溶质的载体，以超声波对所述玻璃基板进行清洗，辅以N₂气体吹干备用；

S2，镀阻挡层：将玻璃基板置于射频磁控溅射镀膜设备的真空溅射腔室中，压强为9.0x10^-4-3.5x10^-4Pa，然后注入氧气和氩气，其中氩气流量占比大于99％，镀膜时玻璃基板的温度为300-450℃，溅射气压为0.3-1Pa，镀膜功率为100-175W，阻挡层包括NbOx层、SiNx层以及SiO₂层，使用射频磁控溅射镀膜设备在玻璃基板的一面依次镀上NbOx层、SiNx层以及SiO₂层，形成所述的阻挡层；

S3，镀ITO层：使用射频磁控溅射镀膜设备在所述阻挡层表面镀上氧化铟锡，形成所述的ITO层；

所述玻璃基板完成S1后进行除碱金属离子的步骤S11，所述S11包括：先将玻璃基板的温度加热至650℃，然后降至常温，以酸性清洁液清洗玻璃基板，最后再进行一次所述S1的步骤。

2.如权利要求1所述的抗龟裂ITO导电玻璃的制作方法，其特征在于，所述S2中NbOx层的厚度为10nm-25nm，SiNx层的厚度为10nm-20nm，以及SiO₂层的厚度为30nm-60nm。

3.如权利要求2所述的抗龟裂ITO导电玻璃的制作方法，其特征在于，所述S2中NbOx层的厚度为15nm，SiNx层的厚度为20nm，以及SiO₂层的厚度为50nm。

4.如权利要求1所述的抗龟裂ITO导电玻璃的制作方法，其特征在于，所述酸性清洁液为弱酸。

5.如权利要求4所述的抗龟裂ITO导电玻璃的制作方法，其特征在于，所述弱酸为pKa值为0-6，浓度为1x10^-4-2x10^-4mol/L的醋酸和/或碳酸中的至少一种。