[发明专利]一种用于快速制绒的单晶花篮及其插片杆在审
申请号: | 201910880611.2 | 申请日: | 2019-09-18 |
公开(公告)号: | CN110600411A | 公开(公告)日: | 2019-12-20 |
发明(设计)人: | 宋贤德;张明明;邱江南;付少剑;王立富 | 申请(专利权)人: | 江西展宇新能源股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/673 | 分类号: | H01L21/673;H01L31/0236;H01L31/18 |
代理公司: | 11227 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人: | 李宁 |
地址: | 334100 江*** | 国省代码: | 江西;36 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 插片杆 单晶片 疏水层 制绒 复合 单晶 烘干 花篮 | ||
本发明公开了一种用于快速制绒的单晶花篮及其插片杆,包括插片杆本体,插片杆本体的外表面复合有疏水层。通过在插片杆本体的外表面复合疏水层,使得插片杆与单晶片接触的位置的水分更加容易被烘干带走,从而在快速制绒过程中,避免了插片杆与单晶片接触的位置出现烘不干的情况发生。
技术领域
本发明涉及单晶制绒技术领域,尤其涉及一种用于快速制绒的单晶花篮及其插片杆。
背景技术
目前单晶PERC电池已成主流,而电池片生产需要经过单晶制绒工序,在制绒工序中时,电池片要经过制绒槽、水洗、碱洗、水洗、酸洗、水洗、吹干等工序,使电池片表面形成绒面,增加光的反折射率。而在该工艺过程中,一般需要采用单晶花篮来装载电池片,单晶花篮的结构一般包括两块平行正对布置的侧板和横跨于两块侧板之间的插片杆,多根平行布置的插片杆构成了装载单晶片的构架。
目前单晶制绒更多地采用快速制绒,因为相比常规制绒而言,快速制绒的产量更高。但是由于快速制绒的工艺配方的烘干时间较短,插片杆与单晶片接触的位置很容易出现烘不干的现象。
综上所述,如何解决插片杆与单晶片接触的位置很容易出现烘不干的问题已经成为本领域技术人员亟需解决的技术难题。
发明内容
本发明的目的是提供一种用于快速制绒的单晶花篮及其插片杆,以解决解决插片杆与单晶片接触的位置很容易出现烘不干的问题。
为了实现上述目的,本发明提供了一种用于快速制绒的单晶花篮的插片杆,包括插片杆本体,所述插片杆本体的外表面复合有疏水层。
优选地,所述插片杆本体包括金属杆件和包裹于所述金属杆件的外表面的保护层,所述疏水层复合于所述保护层的外表面。
优选地,所述金属杆件包括实心段和空心段,所述实心段位于所述金属杆件的中间位置,所述空心段位于所述金属杆件的两端位置,且所述保护层的保护材料填充至所述空心段的内腔。
优选地,所述保护材料伸出所述空心段的外端面的距离不少于2cm。
优选地,位于所述金属杆件两端位置的所述空心段的长度均为4cm±1cm。
优选地,所述保护层的材质为PDVF材质。
优选地,所述保护层在所述金属杆件上注塑成型。
优选地,所述疏水层的材质为纳米氟材质。
相比于背景技术介绍内容,上述用于快速制绒的单晶花篮的插片杆,包括插片杆本体,插片杆本体的外表面复合有疏水层。通过在插片杆本体的外表面复合疏水层,使得插片杆与单晶片接触的位置的水分更加容易被烘干带走,从而在快速制绒过程中,避免了插片杆与单晶片接触的位置出现烘不干的情况发生。
另外,本发明还提供了一种用于快速制绒的单晶花篮,包括两块平行正对布置的侧板和横跨于两块所述侧板之间的插片杆,且该插片杆为上述任一方案所描述的插片杆。由于上述插片杆具有上述技术效果,因此具有上述插片杆的单晶花篮也应具有相应的技术效果,在此不再赘述。
优选地,所述插片杆包括下插片杆、侧插片杆和上插片杆;
所述下插片杆以多根平行共面的方式横跨于两个所述侧板的底部;
所述侧插片杆横跨于两个所述侧板的前侧端或后侧端;
所述上插片杆横向于两个所述侧板的顶部。
附图说明
图1为本发明实施例提供的插片杆的剖视结构示意图;
图2为本发明实施例提供的金属杆件的结构示意图;
图3为本发明实施例提供的用于快速制绒的单晶花篮的插片杆的布置位置示意图。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于江西展宇新能源股份有限公司,未经江西展宇新能源股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201910880611.2/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种芯片框架的点胶上芯机
- 下一篇:定位传输机构及定位传输生产系统
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造