[发明专利]显示面板及其制造方法和电子设备

说明书

本发明实施例提供一种显示面板及其制造方法和电子设备，显示面板制造方法包括，提供基底以及位于所述基底上的第一介质层，在所述第一介质层上形成第二介质层，所述第二介质层内具有贯穿所述第二介质层的开口，所述第二介质层的相对介电常数大于所述第一介质层的相对介电常数，以所述第二介质层为掩模，沿所述开口刻蚀所述第一介质层，在所述第一介质层内形成沟槽。利用第二介质层相对于第一介质层具有较高的刻蚀选择比的特性，在获得具有高深宽比的沟槽的同时，降低了工艺难度，提升了显示面板的良品率。

技术领域

本发明实施例涉及显示技术领域，特别涉及一种显示面板及其制造方法和电子设备。

背景技术

随着显示技术中对像素密度(Pixels Per Inch，PPI)需求的提高，为了提高开口率，子像素结构可能向着高度或深度方向发展，因而需要在显示面板内形成具有高深宽比的沟槽。

针对上述需求，现有的显示面板制造工艺有待提高。

发明内容

本发明提供一种显示面板及其制造方法和电子设备，解决在显示面板中难以获得具有高深宽比沟槽的问题。

为解决上述问题，本发明实施例提供一种显示面板的制造方法，包括：提供基底以及位于所述基底上的第一介质层；在第一介质层上形成第二介质层，第二介质层内具有贯穿所述第二介质层的开口，第二介质层的相对介电常数大于第一介质层的相对介电常数；以第二介质层为掩模，沿开口刻蚀第一介质层，在第一介质层内形成沟槽。

以第二介质层为硬掩模，利用刻蚀工艺对第一介质层和第二介质层的高选择比的特性进行刻蚀，能够获得具有高深宽比的沟槽；此外，由于第二介质层的良好绝缘性，在完成刻蚀后无需去除第二介质层，该第二介质层被保留下来作为显示面板的一部分，从而节省了工艺步骤，降低了工艺难度的同时也提高了显示面板产品的良率。

另外，刻蚀为干法刻蚀；优选地，干法刻蚀采用的气体包括碳氟化合物气体；优选地，干法刻蚀的工艺参数包括气压为6～15mT，功率为5～10KW，碳氟化合物气体流量为200～500sccm，温度为10～20℃。采用干法刻蚀实现对第一介质层的各向异性刻蚀，且干法刻蚀对第二介质层和第一介质层的选择比高，更有利于得到高深宽比的形貌。

另外，干法刻蚀对第一介质层与第二介质层的刻蚀选择比大于等于30；优选地，干法刻蚀对第一介质层的刻蚀速率为干法刻蚀对第二介质层的刻蚀速率为选用较高刻蚀选择比的气体进行刻蚀，更有利于形成具有高深宽比的沟槽。

另外，沟槽具有预设深度；在进行干法刻蚀之前，预设深度与第二介质层的厚度的比值小于或等于刻蚀选择比。如此，避免在形成沟槽的过程中，第二介质层过早被刻蚀完，造成第一介质层的损坏，从而保证显示面板的质量，提高产品生产良率。

另外，在第一介质层上形成第二介质层，具体包括：在第一介质层上形成初始层；在初始层上形成图形层；利用图形层刻蚀初始层直至暴露出第一介质层，剩余初始层作为第二介质层；优选地，在形成开口后，保留图形层。在形成开口后保留图形层，在刻蚀第一介质层的过程中，图形层能够起到一定程度的掩膜作用，可以减少第二介质层的损耗，进一步地改善刻蚀形成的具有高深宽比的沟槽。

相应地，本发明实施例还提供一种显示面板，包括：基底及位于基底上的第一介质层；位于第一介质层上的第二介质层，第二介质层内具有开口，开口贯穿第二介质层，第二介质层的相对介电常数大于第一介质层的相对介电常数；第一介质层内具有沟槽，沟槽与开口相连通。

另外，还包括：导电层，导电层填充满沟槽和开口；优选地，导电层还位于第二介质层顶部上，优选地，还包括：第三介质层，第三介质层位于第二介质层和导电层上。

另外，第二介质层的相对介电常数与第一介质层的相对介电常数的比值大于或等于4，第二介质层的材料包括氧化锆、氧化铪、氧化钛、氧化镧、钛酸锶、钛酸钡、锆酸锶或氧化钇中任意一种或者多种。