[发明专利]肖特基二极管管芯及其制备方法、二极管和光伏组件

权利要求书

1.一种肖特基二极管管芯，包括单晶硅衬底、肖特基势垒结、控制PN结、保护PN结、隔离介质、管芯正电极接触金属和管芯负电极接触金属，其特征在于：

在所述单晶硅衬底的第一侧面设置有多个腐蚀坑，所述多个腐蚀坑规则排列在所述单晶硅衬底的第一侧面，所述控制PN结设置在所述腐蚀坑坑壁上；

所述肖特基势垒结设置在所述单晶硅衬底的第一侧面毗邻所述控制PN结的平面上，所述保护PN结设置在所述肖特基势垒结未与所述控制PN结相邻的边缘，且所述肖特基势垒结的边缘与所述控制PN结或所述保护PN结相衔接；

所述管芯正电极接触金属与所述肖特基势垒结的正极、所述控制PN结的正极、所述保护PN结的正极欧姆接触，所述管芯负电极接触金属与所述单晶硅衬底欧姆接触，且所述管芯正电极接触金属和所述管芯负电极接触金属均由所述单晶硅衬底的第一侧面引出；

所述隔离介质覆盖于所述单晶硅衬底的第一侧面除电极接触区之外的区域，所述电极接触区包括所述管芯正电极接触金属与所述肖特基势垒结的正极、所述控制PN结的正极、所述保护PN结的正极接触的区域，以及，所述管芯负电极接触金属与所述单晶硅衬底接触的区域。

2.如权利要求1所述的肖特基二极管管芯，其特征在于，所述肖特基势垒结的负极、所述控制PN结的负极、所述保护PN结的负极通过所述单晶硅衬底的第一侧面引出。

3.如权利要求2所述的肖特基二极管管芯，其特征在于，所述单晶硅衬底包含多个穿透所述单晶硅衬底的导电通孔，所述管芯负电极接触金属延伸至所述导电通孔和与所述单晶硅衬底的与第一侧面相对的第二侧面，所述肖特基势垒结的负极、所述控制PN结的负极、所述保护PN结的负极通过所述单晶硅衬底、欧姆接触和所述管芯负电极接触金属，引至所述单晶硅衬底的第一侧面。

4.如权利要求1所述的肖特基二极管管芯，其特征在于，所述单晶硅衬底的第一侧面设置有外延层，所述外延层与所述单晶硅衬底的材料和导电类型相同，且所掺杂质少于所述单晶硅衬底，所述肖特基势垒结设置在所述外延层上。

5.如权利要求1所述的肖特基二极管管芯，其特征在于，当所述单晶硅衬底的晶面为{111}时，所述腐蚀坑为倒三棱锥结构。

6.如权利要求1所述的肖特基二极管管芯，其特征在于，当所述单晶硅衬底的晶面为{100}时，所述腐蚀坑为由两个梯形面和两个三角形面围成的槽型结构。

7.如权利要求1所述的肖特基二极管管芯，其特征在于，当所述单晶硅衬底的晶面为{100}时，所述腐蚀坑为倒四棱锥结构。

8.一种肖特基二极管，其特征在于，所述肖特基二极管中设置有如权利要求1-7任一所述的肖特基二极管管芯。

9.一种光伏组件，其特征在于，所述光伏组件中集成有如权利要求8所述的肖特基二极管。