[发明专利]电子设备和电子设备的控制方法有效
申请号: | 201910870201.X | 申请日: | 2019-09-16 |
公开(公告)号: | CN110610971B | 公开(公告)日: | 2021-11-05 |
发明(设计)人: | 邓贤柱;王明玺;张嘉桓;张萌 | 申请(专利权)人: | 云谷(固安)科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 上海晨皓知识产权代理事务所(普通合伙) 31260 | 代理人: | 成丽杰 |
地址: | 065500 河*** | 国省代码: | 河北;13 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电子设备 控制 方法 | ||
本发明实施方式公开了一种电子设备和电子设备的控制方法。包括显示屏,显示屏包括共用同一基板的多个显示像素和距离传感模块,每个显示像素包括设置于所述基板上的像素电路层和发光像素层,距离传感模块包括多个红外发射单元和多个红外接收单元,红外发射单元与发光像素层同层设置,红外接收单元位于红外发射单元下方,且红外接收单元在所述基板上的正投影位于红外发射单元与发光像素层之间、或者位于不同的发光像素层之间;处理器,用于根据红外发射单元的工作状态,实现距离传感模块的功能,控制显示屏的显示补偿模式,以在红外发射单元和发光像素层同时工作期间,调节显示屏的显示效果。本发明能够提高电子设备性能。
技术领域
本发明实施方式涉及显示技术领域,特别涉及一种电子设备和电子设备的控制方法。
背景技术
电子设备的屏占比一直是用户较为关注的焦点,屏占比一般指显示屏面积与电子设备的前面板面积的比例。为了满足大屏占比的需求,全面屏的概念应运而生。为了实现全面屏,可以在屏幕内打孔,并在打孔位置放置传感器等一系列器件。
然而,现有的电子设备的性能仍有待提高。
发明内容
本发明实施方式的目的在于提供一种电子设备和电子设备的控制方法,从而改善电子设备的性能。
为解决上述技术问题,本发明的实施方式提供了一种电子设备,包括:显示屏,所述显示屏包括共用同一基板的多个显示像素和距离传感模块,每个所述显示像素包括设置于所述基板上的像素电路层和发光像素层,所述距离传感模块包括多个红外发射单元和多个红外接收单元,所述红外发射单元与所述发光像素层同层设置,所述红外接收单元位于所述红外发射单元下方,且所述红外接收单元在所述基板上的正投影位于所述红外发射单元与所述发光像素层之间、或者位于不同的所述发光像素层之间;
处理器,用于根据电子设备的使用情境,判定所述红外发射单元的工作状态,并实现所述距离传感模块的功能,并根据所述红外发射单元的工作状态,控制所述显示屏的显示补偿模式,以在所述红外发射单元和所述发光像素层同时工作期间,调节显示屏的显示效果。
本发明的实施方式还提供了一种电子设备的控制方法,可用于制作上述的电子设备,包括:接收触发信号,使所述红外发射单元进入工作状态,并发射红外出射光线,且经物体反射后形成红外反射光线,所述红外接收单元接收所述红外反射光线;根据所述红外接收单元接收到的红外反射光线的状态,实现所述距离传感模块的功能;根据所述红外发射单元的工作状态,控制所述显示屏的显示补偿模式,以在所述红外发射单元和所述发光像素层同时工作期间,调节显示屏的显示效果。
另外,所述显示屏包括多个像素单元,每个像素单元包括不同颜色的显示像素和至少一个所述红外发射单元,所述发光像素层包括:依次堆叠的第一电极层、发光结构层以及第二电极层,所述红外发射单元包括:依次堆叠的第三电极层、红外发射层以及第四电极层;优选地,所述显示像素包括红色子像素、绿色子像素以及蓝色子像素;优选地,所述第三电极层与所述第一电极层处于同层且材料相同,所述第四电极层与所述第二电极层处于同层且材料相同。如此,能够利用制作第一电极层的工艺步骤制作第三电极层,利用制作第二电极层的工艺步骤制作第四电极层,有利于简化工艺步骤,节约制造成本。
另外,所述红外接收单元包括红外检测器和与所述红外检测器连接的检测晶体管阵列,所述红外检测器用于接收和检测所述红外反射光线,所述检测晶体管阵列用于将所述红外反射光信号转化为初始电信号。红外检测器用于检测和接收具有特定波长的红外反射光线,并将光信号传输给检测晶体管阵列,供检测晶体管阵列将所述红外反射光信号处理为初始电信号。
另外,所述电子设备还包括:至少一条连接线,所述连接线电连接所述处理器及多个所述检测晶体管阵列,并将所述初始电信号传递至所述处理器。通过该连接线实现处理器与红外接收单元之间的电连接,并且简化了线路连接状态。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的