[发明专利]一种适用于大尺寸单晶提拉速及散热的装置在审
| 申请号: | 201910868501.4 | 申请日: | 2019-09-12 |
| 公开(公告)号: | CN110424050A | 公开(公告)日: | 2019-11-08 |
| 发明(设计)人: | 张文霞;高润飞;郭志荣;张石晶;韩凯;武志军;霍志强;郭谦;王林;谷守伟;徐强 | 申请(专利权)人: | 内蒙古中环光伏材料有限公司 |
| 主分类号: | C30B15/00 | 分类号: | C30B15/00;C30B29/06 |
| 代理公司: | 天津诺德知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 12213 | 代理人: | 栾志超 |
| 地址: | 010070 内蒙古自*** | 国省代码: | 内蒙古;15 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 制冷装置主体 视线 单晶 大尺寸单晶 出水管道 单晶炉盖 进水管道 观察孔 散热 提拉 轴向温度梯度 晶体表面 晶体结晶 冷却介质 热量散失 温度维持 依次设置 硅结晶 内循环 生长 观察 拉速 坩埚 流通 保证 | ||
本发明提供一种适用于大尺寸单晶提拉速及散热的装置,包括制冷装置主体、进水管道和出水管道,进水管道与出水管道分别与制冷装置主体连接,便于冷却介质在制冷装置主体内循环流通,其中,制冷装置主体设有多个视线孔,多个视线孔沿着单晶炉盖至坩埚方向依次设置;以及,单晶炉盖设有观察孔,多个视线孔设于制冷装置主体与观察孔相对侧,便于观察单晶的生长。本发明的有益效果是具有多个视线孔,便于观察单晶的生长,在保证晶体结晶区温度维持在硅结晶点温度的前提下,加快晶体表面热量散失,增加晶体轴向温度梯度,促进单晶拉速提升。
技术领域
本发明属于光伏技术领域,尤其是涉及一种适用于大尺寸单晶提拉速及散热的装置。
背景技术
为匹配组件电厂高功率产品要求,对晶体端单晶有了更大尺寸得要求。拉制11寸、12寸大尺寸单晶,由于直径更大,散热较常规小尺寸单晶更慢,导致单晶拉速偏低且散热速度慢单晶缓降温时间较长,影响单晶拉制有效工时,影响成本。
现有的水冷系统设计在单晶上方100-300mm处,为避免遮挡视线一般超强水冷均为上款下窄的锥形结构,水冷系统由于上边宽锥形结构离单晶较远,对单晶散热及提拉速的作用均有所减弱。
发明内容
鉴于上述问题,本发明要解决的问题是提供一种适用于大尺寸单晶提拉速及散热的装置,适用于大尺寸单晶炉台制冷系统,在保证晶体结晶区温度维持硅结晶点温度前提下,加快晶体表面热量散失,增加晶体轴向温度梯度,促进单晶拉速提升。
为解决上述技术问题,本发明采用的技术方案是:一种适用于大尺寸单晶提拉速及散热的装置,包括制冷装置主体、进水管道和出水管道,进水管道与出水管道分别与制冷装置主体连接,便于冷却介质在制冷装置主体内循环流通,其中,
制冷装置主体设有多个视线孔,多个视线孔沿着单晶炉盖至坩埚方向依次设置;以及,
单晶炉盖设有观察孔,多个视线孔设于制冷装置主体与观察孔相对侧,便于观察单晶的生长。
进一步的,沿着多个视线孔设置的方向,第一个视线孔的长度在观察孔的视线方向上的投影覆盖单晶生长的固液界面距观察孔最远的生长点,便于通过第一个视线孔观测单晶生长的固液界面距观察孔最远的生长点生长;以及
末端最后一个视线孔的长度在观察孔的视线方向上的投影覆盖单晶生长的固液界面距观察孔最近的生长点,便于通过末端最后一个视线孔观测单晶生长的固液界面距观察孔最近的生长点生长。
进一步的,沿着多个视线孔设置的方向,首个视线孔、单晶的固液界面距观察孔最远生长点与单晶炉盖的观察孔呈直线设置,便于观察单晶的固液界面距观察孔最远生长点的生长;以及
末个视线孔、单晶的固液界面距观察孔最近生长点与单晶炉盖的观察孔呈直线设置,便于观察单晶的固液界面距观察孔最近生长点的生长。
进一步的,制冷装置主体的垂直长度为800-1200mm。
进一步的,制冷装置主体为圆柱结构,制冷装置主体的内径大于单晶的直径。
进一步的,制冷装置主体的内径与单晶的直径之差为40-80mm。
进一步的,制冷装置主体为内部有空腔的水冷内导。
进一步的,制冷装置主体的末端与硅溶液的液面距离不大于70mm。
由于采用上述技术方案,具有垂直长度较长的制冷装置主体,在保证晶体结晶区温度维持在硅结晶点温度的前提下,加快晶体表面热量散失,增加晶体轴向温度梯度,促进单晶拉速提升;同时,具有视线孔,通过该视线孔,操作者可以时时观察单晶结晶区固液界面处晶体生长情况,不会遮挡视线,保证单晶炉内较大区域的制冷空间,加速单晶表面热量散失。
附图说明
图1是本发明的一实施例的结构示意图。
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